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1，14nm什么意思

英特尔生产的CPU多年停留在14nm制程，新一代产品只进行了优化，甚至还命名为14nm++，因此每当发布新处理器的时候，网友们便称其为14nm+++++，以表达对这种挤牙膏行为的讽刺。转自小鸡词典@黑白

14nm什么意思

2，海思芯片为什么用台积电的16nm

因为只有台积电可以使用，海思不会找三星，虽然三星有14nm，但是三星以前在屏幕上卡过华为；虽然海思还跟中芯国际有更亲密的关系，但中芯国际目前只能提供28nm。。综上所述，华为别无选择！
高通 联发科 ，这两个都是手机芯片研发商，他们都是一个公司。“海思”是华为旗下的手机芯片型号，目前其实叫“麒麟处理器”，换句话说华为本身也是研发商。台积电是制造商而已，它是接到高通mtk华为订单后为他们按照他们要求生产处理器，换句话说台积电不是研发而是生产

海思芯片为什么用台积电的16nm

3，中芯国际是国企吗

不是中芯国际不是国企。中芯国际全称是中芯国际集成电路制造有限公司，是世界领先的集成电路芯片代工企业之一，也是中国内地规模较大、技术先进的集成电路芯片制造企业，主要业务是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。中芯国际不是国企。中芯国际全称是中芯国际集成电路制造有限公司，是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业。主要业务是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。中芯国际是纯商业性集成电路代工厂，提供 0.35微米到14纳米制程工艺设计和制造服务。中芯国际在早期是台系外资投资企业，现在是企业类型是有限责任公司(外国法人独资)，在国内通过注册并全资占有中芯集电投资(上海)有限公司来投资设立了一些企业，目前主要股东有大唐控股(香港)投资有限公司和鑫芯(香港)投资有限公司，实际上是国企控股的外资企业。

中芯国际是国企吗

4，如何评价中芯国际量产骁龙425处理器

中端市场需求很大 821性能很强 高通还是比华为厉害麒麟960采用了14nm工艺设计，全球率先商用了最新的A73 CPU，采用4*A73+ 4*A53架构，最高主频2.4GHz，与上一代相比，CPU性能提升18%，能效提升15%。GPU方面，麒麟960同样全球率先商用了Mali G71 MP8，与上一代相比，麒麟960图形处理性能飙升180%。同时，GPU能效提升40%。GPU方面：高通821采用的Adreno 530 GPU，而麒麟960则是Mali G71 MP8。按照发布会上的宣称是960的GPU超过了高通821的GPU，但随着手机的销售，许多人的测试，以及安兔兔官方的说明证实了在实际日常使用中，Mali G71 MP8是比Adreno 530要弱上一些的。从综合上来说，高通骁龙821可能要领先华为麒麟960一些，但差距不会很大，主要体现方面在于960的CPU占优势，而高通则是在GPU上占优势。
虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

5，1050ti的14nm什么工艺

1050TI频率都基于14nm GP107核心，768个流处理器从架构分析来看，GTX 1050 Ti的性能应该是GTX 1060的2/3理论测试也就是3DMark的跑分中，七彩虹GTX 1050 Ti的得分均超过GTX 960，其幅度在10-13%左右，由于我们使用的是测试驱动，因此消费者在购买到GTX 1050 Ti的时候应该是带有WQHL认证的正式版驱动，预计实际性能还能略微提高，同时和上一代基于Maxwell架构的GTX 950乃至第一代Maxwell的GTX 750相比，得益于全新的Pascal架构和14nm FinFET制造工艺，GTX 1050Ti的性能有着一个质的飞跃。平均提升在71%（对比GTX 750Ti）和29%（对比GTX 950）。可以说相当地给力。如果和AMD的同定位对手也就是Radeon RX 460相比，GTX 1050 Ti也是保持巨大的领先优势，理论性能平均领先49%。不过面对更为强大的Radeon RX 470，GTX 1050 Ti可丝毫讨不到任何便宜，落后幅度在25%左右。作为全新一代的中端显卡，GTX 1050 Ti取代GTX 960是没有任何问题的。
显然是看到广告宣传有问题。所有的gtx1050ti都是14nm28nm铭瑄你要注意广告是否是1050ti，有的是战1050ti，或胜1050ti（关联词）

6，14nm骁龙八核处理器到底是啥意思

在描述手机芯片性能的时候，消费者常听到的就是 22nm、14nm、10nm 这些数值，这是什么？这是芯片市场上，一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升，带来的都是性能的增强和功耗的降低，而每一款旗舰手机的发布，常常与芯片性能的突破离不开关系。骁龙 835 用上了更先进的 10nm 制程， 在集成了超过 30 亿个晶体管的情况下，体积比骁龙 820 还要小了 35%，整体功耗降低了 40%，性能却大涨 27%。深入来说，这几十纳米怎么计算出来的？我们从芯片的组成单位晶体管说起。得益于摩尔定律的预测，走到今天，比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。图中的晶体管结构中，电流从 Source（源极）流入 Drain（漏级），Gate（栅极）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度（栅长），就是 XX nm工艺中的数值。对于芯片制造商而言，主要就要不断升级技术，力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近 20nm 时，栅极对电流控制能力急剧下降，会出现“电流泄露”问题。为了在 CPU 上集成更多的晶体管，二氧化硅绝缘层会变得更薄，容易导致电流泄漏。当晶体管的尺寸缩小到一定程度（业内认为小于 10nm）时会产生量子效应，这时晶体管的特性将很难控制，芯片的生产难度就会成倍增长。骁龙 835 出货时间推迟，X30 遥遥无期主要原因可能是要攻克良品率的难关。另外，骁龙 835 用上了 10nm 的制程工艺，设计制造成本相比 14nm 工艺增加接近 5 成。大厂需要持续而巨大的资金投入到 10nm 芯片量产的必经之路。
有可能是625 630 636 660 中的任意一款

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