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1，因特尔台积电三星芯片加工工艺差距是多少

英特尔14nm工艺(下一代就是7nm，英特尔有点挤牙膏的意思)，三星10nm，台积电7nm。自己看吧，这是目前加工工艺的差距。
你指的是有哪家晶圆厂代工吧。6s既有台积电代工的芯片，也有三星代工的芯片。根据评测，台积电代工的芯片在功耗和发热上比起三星来要好一些。不过差距不大，日常使用应该感觉不出差别。

因特尔台积电三星芯片加工工艺差距是多少

2，苹果15什么时候上市

苹果iPhone15将于2023年9月发布上市。新的15系列将使用高通基带芯片，并且许多功能将大大加强和升级，iPhone15将采用自研芯片，5G芯片采用台积电5nm工艺，射频IC采用台积电7nm工艺，a17应用处理器采用台积电3nm并量产。 有业内分析师认为，苹果公司对欧盟的决议已做好了准备，可能会在2023年的iPhone15机型中改用USB Type-C接口，现在已经在测试。

苹果15什么时候上市

3，三星CPU和台积电CPU有那么纠结吗

三星使用的14nm工艺，有着成熟的苹果A系处理器代工经验；而台积电使用的则是16nm，而且是第一次，理论上三星的版本会更有优势，但是实测结果，却恰恰相反……　　连续跑Geekbench测试当中，三星逐渐发热严重，越到后面成绩起伏越大，分值从最开始的稍稍胜出变成渐渐不如台积电，并且多次明显成绩下滑。温度比台积电要高5度左右达到40度。而台积电，成绩稳定，基本无起伏，温度也不到36度。　　使用安兔兔，三星继续高热，台积电继续凉爽。温度差距在5度左右。中间三星出现一次闪退，每次都是台积电先跑完测试并且在分值上胜出。　　测试对象；　　1.使用台积电16nm处理器的iPhone 6s Plus虽然屏幕更大，但只消耗了314毫安的电量。　　2.使用三星14nm处理器的iPhone 6s，居然反而比iPhone 6s Plus多耗电70毫安，达到384毫安。
没有

三星CPU和台积电CPU有那么纠结吗

4，为何说台积电压制三星

近日报道。既然电池技术在段时间内不会有太大的进步，那么手机厂商和产业链就要推动相关技术的升级，比如让CPU工艺制程更先进。三星、台积电都在疯狂推动这7nm移动处理器工艺的进展，不过据台湾产业链传出的消息称，在这场7nm工艺制程的竞争中，台积电取得了压倒性的胜利。据台湾电子时报报道称，台积电的7nm工艺制程芯片已经拿下了40多为客户，而之前一直跟三星关系较好的高通，也把下一代骁龙处理器的代工任务交给了台积电。除了高通外，产业链消息人士还强调，苹果依然是台积电最大、最稳定的客户，而他们也将在今年Q2市场基于7nm工艺制程的A12处理器，很显然这是为新一代iPhone准备的。之前的消息显示，今年苹果将继续推出三款新iPhone，除了iPhone X的常规版更新外，他们还会带来6.5英寸版iPhone X Plus，还有6.1英寸LCD屏幕的廉价版iPhone X，而它们都会搭载A12处理器。报道中还提到，为了扩大对三星的技术领先优势，台积电将会在其7nm+制程中采用极紫外技术（EUV），并将逐步在5nm和3nm制程中采用，而现在他们正在努力扩大产能，预计2019年开始5nm芯片的试产工作，而3nm要到2020年了。

5，英特尔的14纳米相当于三星台积电的多少纳米

大概10nm吧，目前没有确切的消息， 只是按照以前的案例推算， 在intel 20nm的时候， 三星将同样级别的技术，进行了一下文字游戏（对 他非常喜欢这样），标识了晶体管上面的其他参数，以14nm的明晃晃的数字对外宣传（晶体管有很多参数标识，此处不做详解），以此来造成一个 技术很先进的 假象， 后来台积电也无奈为满足宣传需要跟进修改了参数标识，将同样级别的技术标称了16nm 。 最后的表现就是14nm还不如人家的16 ，两个都是intel20nm级别的技术，甚至还不如intel的20nm
排除数字这种人为因素，在技术方面，英特尔还是目前的老大，没有任何疑问。其次应该是台积电，台积电目前是全球最大的半导体代工厂，别小看代工，这个可是高科技高附加值的代工，和皮鞋服装厂不是一个概念，技术一般落后于英特尔1-2年，不过优势是一旦量产产能很好，良品率也不错，nvidia、苹果、高通、赛灵思很多产品都是台积电代工。三星最近发展迅猛，挖了不少工程师，利用在闪存及dram的经验，也获得了不少的代工用户，不过产能及良品率是落后于台积电，技术及参数综合起来基本持平或者略低，但是价格有一定优势，也有不少的用户选择，比如高通、amd、nvidia等。

6，说一说台积电到底有多强大

之前我们曾对iPhone 6S里的A9处理器进行过详细的技术分析，基本了解了它的秘密，但结果发现，有一点是错误的。当时根据已知消息和性能评估，认为A9的三级缓存容量达到了8MB，相比于A8 4MB翻了一番，所以表现更好，但是经过进一步的探寻，发现A9的三级缓存其实还是4MB，大小并没有变。最直接的证据就是芯片面积分析。A8是台积电20nm工艺造的，三级缓存部分面积约4.9平方毫米，而台积电16nm版本的A9三级缓存部分面积约4.5平方毫米。考虑到台积电16nm本来就是在20nm基础上改进而来的，金属间距都没变，对三级缓存SRAM的影响很小，足以证明A9的三级缓存容量没变。但是，苹果重新设计了A9三级缓存的架构，从包容式(Inclusive)变成了淘汰式(Victim)。简单地说，包容式缓存会包含一份上级缓存数据的完整拷贝，比如说A8二级缓存1MB、三级缓存4MB，后者其实就有四分之一的空间是前者的复制品，实际有效容量为3MB。A9的二级缓存增大到3MB，再这么干显然不行了，所以4MB的三级缓存就完全是自己的。这样做的坏处当然是延长了三级缓存的延迟，但占用的芯片面积也小了，就看你怎么选了。再看看这张之前的缓存/内存延迟测试图，可以明显发现3MB、7MB两个节点的延迟发生了突变，正好对应三级缓存的开始和结束。之前对这块理解有误。另外可以看出，A9的缓存延迟相比于A8其实大大降低了，所以苹果选择改变设计是很明智的。不知道下一代A10会怎么设计呢?延续A9?还是像A9X那样完全取消三级缓存?

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