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1，准费米能级存在的物理基础是什么

非平衡载流子对于其他情况不成立
电子

准费米能级存在的物理基础是什么

2，准费米能级的介绍

准Fermi能级这个概念是为了方便讨论非平衡载流子的统计分布以及载流子浓度的能级而引入的。

准费米能级的介绍

3，对本征的半导体加光照准费米能级是不是对称的

首先要知道什么是费米能级，它表示什么。楼主也要明确一个概念，你所说的费米能级是掺杂费米能级，而不是本征费米能级。(本征)费米能级以下，被电子占据的几率为50%，当你掺杂时，载流子电子增多，费米能级向导带移动，(通俗得想，电子多了，原来本征费米能级以下的地方还能够用吗?自然需要更多的空间，此空间是能量空间，不是我们通常认识的几何空间)，移动后的费米能级就是掺杂费米能级，而本征费米能给是不动的。当掺杂越来越多，掺杂费米能级就越长越高，最后接近甚至进入导带，也就是常说的简并~当掺杂P杂质时，掺杂费米能级将向价带移动。。。。。类似的过程~~

对本征的半导体加光照准费米能级是不是对称的

4，准费米能级的应用

①引入了准Fermi能级之后，就能够仿照采用Fermi-Drac统计来分析平衡载流子分布那样，来分析非平衡载流子的统计分布。若导带电子和价带空穴的准Fermi能级分别为Efn和Efp，则可以近似地表示出非平衡态载流子的所谓准Fermi分布函数为fn(E)=1/②同时，仿照平衡载流子浓度的表示，也可以直接给出非平衡状态时的总电子浓度n和非平衡状态时的总空穴浓度p的表示式为n=no+Δn=Nc×exp[-(Ec-Efn)/kT]， p=po+Δp=Nv×exp[-(Efp-Ev)/kT]。总之，对于非平衡状态的半导体，没有统一的一条Fermi能级，但是可以认为导带和价带分别处于准平衡状态，则对于其中的非平衡电子和非平衡空穴，可以引入相应的电子准Fermi能级（Efn）和空穴准Fermi能级（Efp）来分别描述其分布状况。③由非平衡载流子的浓度表示式，可以见到，准Fermi能级在能带中的位置即分别表征了总的电子和总的空穴的浓度大小：总的电子浓度n越大，Efn就越靠近导带底Ec；总的空穴浓度p越大，Efp就越靠近价带顶Ev。在小注入情况下，对于非平衡态的n型半导体，其中电子是多数载流子，总的非平衡电子浓度与总的平衡电子浓度差不多，因此，这时电子的准Fermi能级与平衡态时系统的Fermi能级基本上是一致的，处于导带底附近；但是空穴——少数载流子的准Fermi能级却偏离平衡态时系统的Fermi能级较远，处于近价带顶附近。对于非平衡态的p型半导体，情况相反，空穴准Fermi能级与平衡态时系统的Fermi能级基本上是一致的，处于近价带顶附近；而电子的准Fermi能级是处于导带底附近。④非平衡半导体中存在两条准Fermi能级，即电子的准Fermi能级和空穴的准Fermi能级；并且这两条准Fermi能级所分开的距离，与外加作用的强度有关（例如外加电压越大，它们分开的距离就越大）。若去除外加作用，则由于非平衡载流子将要逐渐复合，相应的这两条准Fermi能级即逐渐靠拢；当非平衡载流子完全消失以后，则这两条准Fermi能级即合二为一，即回复到平衡状态时的一条Fermi能级。例如pn结，在热平衡时，虽然其中存在电荷（空间电荷）和电场（内建电场），但是两边的半导体具有相同的一条Fermi能级；而在外加有电压时，pn结即处于非平衡状态，这时两边的半导体中出现了非平衡少数载流子（注入或者抽出），因此两边的Fermi能级就分开了——一边是电子的准Fermi能级，另一边是空穴的准Fermi能级，两边准Fermi能级分开的大小即与外加电压的高低有关。
费米能级是绝对零度时电子的最高能级. 自由粒子的波函数是平面波,波动方程是f(r)=(1/v^0.5)*exp(i k*r) k是平面波波矢,电子能量是e=(hk)^2/2m (这个h是除以2pi后的那个普朗克常数,原来表示此量的符号太不好找了) 可以看出,电子对于取不同的k时,可以处在不同能量状态. 下面引入k空间,尽量理解. 一般用周期性边界条件,f(x y z)=f(x+l y z)=f(x y+l z)=f(x y z+l )确定k的取值 kx=(2pi/l)nx ky=(2pi/l)ny kz=(2pi/l)nz nx ny nz是整数,因此把k看作空间矢量,在k空间中,k只能取一个个分立的点.你可以想象以kx ky kz3个方向建立坐标系,因为nx ny nz是整数,kx ky kz只能取到一个个点.就比如nx是整数,永远不会有kx=(2pi/l)*0.4处被取到. 每个点代表一种k的取值,前面有说过,每个k都对应电子的不同能量状态,e=(hk)^2/2m ,这些能量状态也因为k的分立取值而只能分立出现,就是能级. 把电子放在k空间的各个点上,代表电子处在那个k值的状态,也对应一个能量状态,即处在该能级上. 因为泡利不相容原理,每个态上只可以放2个电子,(自旋相反)不会有第3个跟他们在同一个状态(k空间的各个点)上. 现在有一个总共有n个电子的体系,各个电子都处于什么状态哪?粒子总是先占据能量小的能级,从kx=0ky=0kz=0开始(显然这时候能量最小,不过这个模型有点局限,你不必理了)kx=0ky=0kz=1.....kx=33 ky=34 kz=34.....反正越来越大,越来越往能量更大的高能级上添.最后第n个电子会处在最高能级上(能量最大),这个能级就是费米能级. 注意: 1 不在绝对零度的话,电子填充能级不是仅仅由泡利不相容原理决定,因此费米能级是绝对零度时,电子的最高能级. 2 通常宏观体系的电子数n很大,电子填充能级时,在k空间的占据态,也就是可以处在的那n/2的点,会形成一个球形,称为费米球.这很好想象,粒子总是先占据能量小的能级,离(0 0 0)越近的能级(哪个点)先占据,最后被占据的点肯定不会有"支出去"的,而是程球形.这个球面叫费米面,有时也说费米面上的能级是费米能级.我前面说"第n个电子会处在最高能级上(能量最大),这个能级就是费米能级"是为了理解方便,实际上第n个电子,不见得比n-1的能级高了,简单的看kx=0ky=0kz=1和kx=0ky=1kz=0和kx=1ky=0kz=0不是能量一样吗?当离(0 0 0)很远后,这种k不同但能量一样或近似一样的点会更多,形成一个近似的球面--费米面.一般就认为费米面上的能级就是最高能级--费米能级. 3 从费米分布函数角度解释也可以,费米分布函数给出了不在绝对0度的情况下各个能级被占据的几率,费米能级是本征态占据几率1/2的态对应能级在绝对0度的极限.你可以看黄昆先生的固体物理. 4 你问这个问题,应该是大学生了吧.对于f(x y z)=f(x+l y z)=f(x y+l z)=f(x y z+l )确定k的取值,可以自己计算一下.波动方程只是为了得出能级概念,并不需要注意,解法可以去看量子力学.

5，准费米能级的特点简答

光电器件基础讲义 中研传输业务部 汪微 1． 概述 光电器件分为发光器件和光探测器两大类，发光器件是把电信号变成光信号的器件，在光纤通信中占有重要的地位。性能好、寿命长、使用方便的不源是保证光纤通信可靠工作的关键。光纤通信对光源的基本要求有如下几个方面：首先，光源发光的峰值波长应在光纤的低损耗窗口之内，要求材料色散较小。其次，光源输出功率必须足够大，入纤功率一般应在10微瓦到数毫瓦之间。第三，光源庆具有高度可靠性，工作寿命至少在10万小时以上才能满足光纤通信工程的需要。第四，光源的输出光谱不能太宽以利于传高速脉冲。第五，光源应便于调制，调制速率应能适应系统的要求。第六，电－光转换效率不应太低，否则会导致器件严重发热和缩短寿命。第七，光源应省电，光源的体积、重量不应太大。 光探测器则是将光信号转换为电信号的光电子器件，作为光通信系统用的光探测器需要满足以下要求：首先，其响应波长范围要与光纤通信的低衰耗窗口匹配，第二，具有很高的量子效率和响应度，第三，具有很高的响应速度，第四，具有高度的可靠性。 2． 光电器件原理 2.1半导体中光的发射和激射原理 2.1-1半导体价带、导带、带隙与发光 半导体单晶材料的原子是按一定规律紧密排列的。在各个原子之间保持一定的距离，是由于在各原子之间存在着互相作用力的结构，这些结合力就是共价键。固体物理学告诉我们，单晶中各个原子的最外层轨道是互相重叠的，这样就使分立的能级变成了能带。与原子的最多层轨道的价电子相对应的能带叫做价带。价带上面的能带称为导带。在温度低至绝对零度的情况下，晶体中的电子均在价带之中，而导带是完全空着的。如果价带中的电子受热或光的激发，则受激发的电子就会跃迁到上面的导带中去。这样一来，晶体材料就可以导电了。把导带底的能量记作EC，把价带顶的能量记作EVO在EC和EV之间是不可能有电子的，故称为禁带。把EC与EV之差记作Eg，称为禁带宽度或带隙。如果Eg较大，则需要较大的激励能量把价带中的电子激发到导带中去。对于绝缘体材料，由于禁带宽度Eg很大，价带中的电子很难迁到导带中去，因而它表现出良好的绝缘性能。导体材料的Eg=0，因此它表现出良好的导电性能。半导体材料的禁带宽度介于导体和绝缘体之间，因而它的导电能力也介于两者之间。 当价带中一个电子被激发到导带中，在价带中就留下了一个电子的空位。在电场的作用下，价带中邻近的电子就会填补这个空位，而把它自己的位置空出来，这就好象空位本身在电场的作用下产生移动一样。空位的作用好象一个带正电的粒子，在半导体物理学上把它叫作空穴。穴带中的一个电子可以吸收外界能量而跃迁到导带中去，在价带中形成一个空穴。反之，导带中的一个电子也可以跃迁到价带中去，在价带中填补一个空穴，把这一过程叫做复合。在复合时，电子把大约等于禁带宽度Eg的能量释放出来。在辐射跃迁的情况下，释放出一个频率为： 的光子，其中h是普朗克常数（6.625×10-34焦耳?秒）。不同的半导体单晶材料的Eg值不同，光发波长也不同，因为电子和空穴都是处于能带之中，不同的电子和空穴的能级有所差别，复合发光的波长有所差别，但其频率接近于γ。 2.1-2半导体掺杂、P型半导体和N型半导体 上面说到的都是纯净、完整的理想半导体单晶的情况。在实际的半导体单晶材料中，往往存在着与组成晶体的基质原子不同的其它元素的原子——杂质原子，以及在晶体形成过程中出现的各种缺陷。进行材料提纯，就是为了去除有害杂质。进行各种处理，就是为了消除或减少某些缺陷。但是，在实际应用中，我们还要有意识地在晶体中掺入一定量的有用杂质，这些杂质原子对半导体起着极为重要的作用。我们知道，按照掺杂的不同，可以得到电子型半导体和空穴型半导体材料。 所谓本征半导体，是指含杂质和缺陷极少的纯净、完整的半导体。其特点是，在半导体材料中，导带电子和数目和价带空穴的数目相等。通常把本征半导体叫做I型半导体。所谓电子型半导体就是通过故意掺杂使用导带的电子数目比价带空穴的数目大得多的半导体。例如，在纯净的III－V族化合物GaAs中掺入不量的VI族元素Te，Te原子取代晶体中的As原子，这样就得到了电子型半导体。Te原子的外层有六个价电子，As原子的外导有五个价电子，在形成共价键时每个Te原子向晶体提供一个电子，因而导带内就有许多电子，这种电子型半导体亦称为N型半导体。所谓空穴型半导体，就是通过故意掺杂使价带空穴的数目比导带电子数目大得多的半导体。例如，在纯净的III－V族化合物GaAs中掺入少量的II族元素Zn。Zn原子取代晶体中的Ga原子，这样就得到了空穴型半导体。Zn原子的外层有两个价电子，Ga原子的外层有三个价电子，在形成共价键时每个Zn原子向晶体索取一个电子，即向晶体提供一个空穴，因而价带内就有许多空穴，这种空穴型半导体也叫做P型半导体。 理论分析和实验结果表明，半导体的物理性质在很大程度上取决于所含杂质的种类和数量。更重要的是，把不同类型的半导体结合起来，就可以制作成各种各样的半导体器件，当然也包括这里要讲的激光二极管和发光二极管。请注意，这里所说的“结合”，并不是简单的机械的接触，而是在同一块半导体单晶内形成不同类型的两个或两个以上的区域。 2.1-3半导体p-n结和p-n结光源 P型半导体与N型半导体结合的界面称为p-n结，许多半导体器件（包括半导体激光器）的核心就是这个p-n结。前面提到，在P型半导体内有多余空穴，在N型半导体内有多余电子，当这两种半导体结合在一起时，P区内的空穴向N区扩散，在靠近界面的地方剩下了带负电的离子，N区内的电子向P区扩散，在靠近界面的地方剩下了带正电的离子。这样一来，在界面两侧就形成了带相反电荷的区域，叫做空间电荷区。由这些相反电荷形成一个自建电场，其方向是由N区指向P区。由于自建电场的存在，在界面的两侧产生了一个电势差VD，这个电势差阻碍空穴和电子的进一步扩建，使之最后达到平衡状态。因此，我们把VD叫做阻碍空穴和电子扩散的势垒。如图2.1所示的p-n结及能带，显然，P区的能量比N区的提高了eVD，其中e是电子的电荷量。如图中所示：对于轻掺杂的p-n结，eVDEg。理论分析表明，可以利用一个能级EF（称为费米能级）来描述电子和空穴分布的规律。对于EF以下的能级，电子占据的可能性大于1/2，空穴占据的可能性大于1/2。在平衡状态下，P区和N区有统一的费米能级。对于P区，因为晶体内有许多空穴，所以价带顶在费米能级附近。对于N区，因为晶体内有许多电子，所以导带底在费米能级附近。这样一来就画出了图2.1(a)所示的能带图。半导体p-n结光源包括半导体发光二极管与半导发光二极管与半导体激光器，它们都是正向工作器件。当把正向电压V加在p-n结上时，抵销了一部分势垒，势垒高度只剩下了（VD－V）的数值，如图2.1(b)所示。外加的正向电压破坏了原来的平衡状态，P区和N区的费米能级分离开来。这时，可以用两个所谓的准费米能级来描述电子和空穴分布的规律。把N区的准费米能级记作（EF）N，对于（EF）N以下的能极，电子占据的可能性大于1/2。把P区的准费米能级记作（EF）P，对于（EF）P以上的能级，空穴占据的可能性大于1/2。当把足够大的正向电压加在p-n结上时，P区内的空穴大量地注入N区，N区内的电子大量地注入P区。这样一来，在P区和N区靠近界面的地方就产生了复合发光。在激光物理学中，材料的光子吸收、自发发射和受激发射可以由图2.2的两能级图来表示。图中E1是

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