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1， 英作纳米科技北京有限公

英作纳米科技（北京）有限公司是一家专门从事原子层沉积技术的研发与设备制造的高新技术企业，是中国大陆最早自主研发生产原子层沉积设备的公司。公司产品涵盖研究级、批量生产型、工业级等多种类型不同规格的原子层沉积设备。本公司诚请以下人才加盟，将本着以人为本的原则，待遇福利从优，包括长期奖励机制，为员工提供完善的发展计划，为个人能力的发挥提供充分的舞台空间。

英作纳米科技北京有限公

2，等离子辅助和等离子增强原子层沉积的区别

等离子状态，是指物质原子内的电子在高温下脱离原子核的吸引，使物质呈正负带电粒子状态存在。等离子态是一种普遍存在的状态。宇宙中大部分发光的星球内部温度和压力都很高，这些星球内部的物质差不多都处于等离子态。只有那些昏暗的行星和分散的星际物质里才可以找到固态、液态和气态的物质。等离子体的用途非常广泛．从我们的日常生活到工业、农业、环保、军事、宇航、能源、天体等方面，它都有非常重要的应用价值．离子是指原子由于自身或外界的作用而失去或得到一个或几个电子使其达到最外层电子数为8个或2个的稳定结构。这一过程称为电离。电离过程所需或放出的能量称为电离能。与分子、原子一样，离子也是构成物质的基本粒子。
不明白啊 = =！

等离子辅助和等离子增强原子层沉积的区别

3，最近在调研ALD原子层沉积设备请问大家有没有推荐的品牌

作为一种高度可精准控制的材料制备方法，原子层沉积（ALD）技术目前已成为半导体芯片、柔性显示、太阳能电池及锂电池等领域中最热门的薄膜材料沉积技术。由于国内缺少相关的关键技术，ALD设备被国外设备大厂垄断，国内ALD量产设备制造企业几乎空白。随着国外先进技术的引进和国内自主研发的不断推进，国内出现了在技术水平上能跟国外技术相媲美的ALD设备制造厂商，如深圳市原速光电科技有限公司。原速光电推出了研发型和生产型的Exploiter系列原子层沉积系统，性能指标优越，加上全方位的材料工艺研发和材料制备服务，足以满足用户的使用需求。有兴趣的可以进他们的官网进一步了解一下！
有的，有的，有烘干茶叶、烟叶的产品的高温烘干设备，不错，改后不仅节能不少，而且使产品烘干的品质也提升了

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4，原子层沉积和分子束外延生长的区别

原子层外延可以精确的以每周期一个单原子层来控制外延生长，外延表面更加原子级平整，外延层的厚度只决定于外延的周期数，而对温度、束流大小等不敏感，可以在较低的温度下生长高质量的薄膜材料；分子束流外延即传统意义上的分子束外延方法，与生长温度、V/III束流比等生长参数有关。
用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜,以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料
你好！原子层外延可以精确的以每周期一个单原子层来控制外延生长，外延表面更加原子级平整，外延层的厚度只决定于外延的周期数，而对温度、束流大小等不敏感，可以在较低的温度下生长高质量的薄膜材料；分子束流外延即传统意义上的分子束外延方法，与生长温度、V/III束流比等生长参数有关。如有疑问，请追问。

5，高分子化学中交替沉积是什么意思

通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应并形成沉积膜的一种方法（技术）。原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应并形成沉积膜的一种方法（技术）。当前躯体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层沉积的关键。气相物质在基体材料的表面吸附特征可以看出，任何气相物质在材料表面都可以进行物理吸附，但是要实现在材料表面的化学吸附必须具有一定的活化能，因此能否实现原子层沉积，选择合适的反应前驱体物质是很重要的。 原子层沉积系统 原子层沉积的表面反应具有自限制性，实际上这种自限制性特征正是原子层沉积技术的基础。不断重复这种自限制反应就形成所需要的薄膜。 原子层沉积的自限制特征 ：根据沉积前驱体和基体材料的不同，原子层沉积有两种不同的自限制机制，即化学吸附自限制和顺次反应自限制过程。 化学吸附自限制沉积过程中，第一种反应前驱体输入到基体材料表面并通过化学吸附（饱和吸附）保持在表面。当第二种前驱体通入反应器，起就会与已吸附于基体材料表面的第一前驱体发生反应。两个前驱体之间会发生置换反应并产生相应的副产物，直到表面的第一前驱体完全消耗，反应会自动停止并形成需要的原子层。因此这是一种自限制过程，而且不断重复这种反应形成薄膜。与化学吸附自限制过程不同，顺次反应自限制原子层沉积过程是通过活性前驱体物质与活性基体材料表面化学反应来驱动的。这样得到的沉积薄膜是由于前驱体与基体材料间的化学反应形成的

6，原子层沉积的技术应用

原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。就目前已发表的相关论文和报告可预知，该技术可能应用的主要领域包括：1） 晶体管栅极介电层（high-k）和金属栅电极（metal gate）2） 微电子机械系统（MEMS）3） 光电子材料和器件4） 集成电路互连线扩散阻挡层5） 平板显示器（有机光发射二极管材料，OLED）6） 互连线势垒层7） 互连线铜电镀沉积籽晶层（Seed layer）8） DRAM、MRAM介电层9） 嵌入式电容10） 电磁记录磁头11） 各类薄膜（<100nm）原子层沉积技术沉积出的相关薄膜材料材料类别 沉积材料Ⅱ-Ⅵ化合物 ZnS,ZnSe,ZnTe,ZnS1-xSex,CaS,SrS,BaS,SrS1-xSex,CdS,CdTe,MnTe,HgTe,Hg1-xCdxTe,Cd1-xMnxTeⅡ-Ⅵ基TFEL磷光材料 ZnS:M (M=Mn,Tb,Tm),CaS:M (M=Eu,Ce,Tb,Pb),SrS:M (M=Ce,Tb,Pb,Mn,Cu)Ⅲ-V化合物 GaAs,AlAs,AlP,InP,GaP,InAs,AlxGa1-xAs,GaxIn1-xAs,GaxIn1-xP氮（碳）化物 半导体/介电材料 AlN,GaN,InN,SiNx导体 TiN(C),TaN(C),Ta3N5,NbN(C),MoN(C)氧化物 介电层 Al2O3,TiO2,ZrO2,HfO2,Ta2O5,Nb2O5,Y2O3,MgO,CeO2,SiO2,La2O3,SrTiO3,BaTiO3透明导体/半导体 In2O3,In2O3:Sn,In2O3:F,In2O3:Zr,SnO2,SnO2:Sb,ZnO,ZnO:Al,Ga2O3,NiO,CoOx超导材料 YB2Cu3O7-x其他三元材料 LaCoO3,LaNiO3氟化物 CaF,SrF,ZnF单质材料 Si,Ge,Cu,Mo,Pt,W,Co,Fe,Ni,Ru其他 La2S3,PbS,In2S3,CuGaS2,SiC
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层沉积的关键。气相物质在基体材料的表面吸附特征可以看出，任何气相物质在材料表面都可以进行物理吸附，但是要实现在材料表面的化学吸附必须具有一定的活化能，因此能否实现原子层沉积，选择合适的反应前驱体物质是很重要的。原子层沉积的表面反应具有自限制性（self-limiting），实际上这种自限制性特征正是原子层沉积技术的基础。不断重复这种自限制反应就形成所需要的薄膜。原子层沉积的自限制特征 ：根据沉积前驱体和基体材料的不同，原子层沉积有两种不同的自限制机制，即化学吸附自限制（cs）和顺次反应自限制（rs）过程。化学吸附自限制沉积过程中，第一种反应前驱体输入到基体材料表面并通过化学吸附（饱和吸附）保持在表面。当第二种前驱体通入反应器，起就会与已吸附于基体材料表面的第一前驱体发生反应。两个前驱体之间会发生置换反应并产生相应的副产物，直到表面的第一前驱体完全消耗，反应会自动停止并形成需要的原子层。因此这是一种自限制过程，而且不断重复这种反应形成薄膜。与化学吸附自限制过程不同，顺次反应自限制原子层沉积过程是通过活性前驱体物质与活性基体材料表面化学反应来驱动的。这样得到的沉积薄膜是由于前驱体与基体材料间的化学反应形成的。图a和b分别给出了这两种自限制反应过程的示意图。由图可知，化学吸附自限制过程的是由吸附前驱体1（ml2）与前驱体2（an2）直接反应生成ma原子层（薄膜构成），主要反应可以以方程式⑴表示。对于顺次反应自限制过程首先是活化剂（an）活化基体材料表面；然后注入的前驱体1（ml2）在活化的基体材料表面反应形成吸附中间体（aml），这可以用反应方程式⑵表示。反应⑵随着活化剂an的反应消耗而自动终止，具有自限制性。当沉积反应前驱体2（an2）注入反应器后，就会与上述的吸附中间体反应并生成沉积原子层。图 a.化学吸附（cs）和b.顺次反应（rs）自限制原子层沉积过程示意图ml2 + an2 --- ma(film) + 2ln ⑴an + ml2 --- aml + nl ⑵aml + an2 --- man + nl ⑶这里需要说明的是前躯体1能够在基体材料表面快速形成稳定的化学吸附层是化学吸附自限制原子沉积过程的必要条件。对于顺次反应自限制过程，一方面基体材料表面必须先经过表面活化，另一方面，这种沉积反应实际是半反应⑵和⑶的组合。每个半反应完成后材料表面的功能基团都会发生变化，并且一个原子层沉积完成时，材料表面要恢复到最初的活化基团状态。这种恢复特点以及材料表面原始活性状态是区分上述两种不同的自限制反应沉积过程的主要因素。

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