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1，化学气相沉积法有哪三种主要的生长方式

第一种，第二种和第三种
将制备好的催化剂置于气氛炉中，升温至约400-900度通入碳源（一般为烃），一般不到1个小时即可有碳管生成。

化学气相沉积法有哪三种主要的生长方式

2，解释一下化学气相沉积法制备纳米材料

化学气相沉积可以分为有基底沉积和无基底沉积。 有基底沉积又分为催化沉积和无催化沉积； 催化沉积往往用于区域选择性沉积或特定形貌纳米材料的沉积； 无催化沉积常用于制作各种膜材料； 无基底沉积往往利用气相分解，可以得到各种纳米粉体，使用相对较少。

解释一下化学气相沉积法制备纳米材料

3，化学气相沉积和热蒸发法的区别是什么

前者包括后者....比如说碳纳米管合成用的是甲烷,乙炔之类的...催化剂生长...典型的CVD...
这个问题也困扰我好久了！谢谢了！“热蒸发法是物理气相沉积，前体就是ZnO。CVD的前体一般是锌粉，在气流中有氧气反应生成ZnO，有时可能还用点催化剂，所以叫做化学气相沉积。我理解有这点差别 ”

化学气相沉积和热蒸发法的区别是什么

4，有谁能解释一下晶圆生产中CVD气相沉积工艺

化学气相沉积（CVD）技术是近年来国际上发展和应用较广的一门先进技术，尤其在电子、半导体、机械、仪表、宇航等领域的应用发展极其迅速。所谓化学气相沉积（简称CVD），就是利用化学反应的原理，从气相物质中析出固相物质沉积于工作表面形成镀层薄膜的新工艺。通常使用的涂层有：TiC、TiN、Ti（C.N）、Gr7O3、Al2O3等。以上几种CVD的硬质涂层基本具备低的滑动摩擦系数，高的抗磨能力，高的抗接触疲劳能力，高的表面强度，保证表面具有足够的尺寸稳定性与基体之间有高的粘附强度。

5，化学气相沉积的化学反应有哪些特点

1)在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。2)可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好)。3)采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。4)涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。5)可以控制涂层的密度和涂层纯度。6)绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。7)沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动，以改善其结构。8)可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基片的反应室，借助气相作用或在基片上的化学反应生成所希望的薄膜。缺点：沉积时基片温度高，沉积速率较低。

6，化学气相沉积的介绍

化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。
现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺入某种杂质形成的掺杂材料。但是，我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。因此，无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。目前，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。

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