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1，背照式CMOS

其实两个相差不大！说白点就是CMOS省电，而CCD耗电，不是富士采用的SUPERCCD是六边形的，对于色彩还原这方面做的夜相当不错！对于省电方面选择两个也都差不多！ 两个就是成像的方式不一样，CMOS是以点成像，而CCD是以线成像！
背照式cmos的技术也就在光照不足的情况下有用，但iPhone 4s的感光元件尺寸太小了，iPhone4s在拍摄组件和N8比起来太寒酸了 说iPhone4s拍照强过N8除了一些网上的枪文还有什么？

背照式CMOS

2，数码相机背照式cmos比CCD的优点是什么

1楼完全错了，传感器类型怎么能和镜头扯在一起说呢。 还有说反了吧？背照CMOS是主攻暗光的，CCD光线好时画质好。 背照式CMOS的优点有四： 1、高感光控噪性能更好。也就是说在ISO提高之后，噪点会比CCD少得多。这在暗光环境下的拍摄工作有很大优势。 2、连拍性能更好。背照式CMOS往往支持高速连拍，每秒10张的全尺寸拍摄往往不成问题。而在这方面CCD要比较吃力。 3、视频拍摄有优势。现在主流的背照式CMOS相机可以拍摄1080i（比1080p更连贯）全高清视频。而CCD能够拍到720p就已经很了不起了。 4、像素可以再高些。虽说无论是背照CMOS或是CCD，都可以提高有效像素。但是背照式CCD的构造决定了传感器面积不变的情况下，有效像素进一步提高，画质也能够保持得比较好。相比之下CCD盲目提高像素的话，画质就会很差。所以其实应该说是『能够在保持画质的情况下提高像素密度』 不过也有缺点的，那就是背照式CMOS在低ISO时，画质表现会没有CCD机器来得纯净。也就是说在阳光明媚的室外环境时，背照式CMOS机器拍摄风景可能会拼不过CCD机器。

数码相机背照式cmos比CCD的优点是什么

3，背照式CMOS的优缺点是什么

省电，高速连拍CMOS比CCD好。貌似iphone4就是用的背照式CMOS，拍出来的照片效果还算可以。
你好！ 与普通CCD传感器相比，背照式CMOS传感器通过向没有布线层的一面照射光线从而避免了金属线路和晶体管的阻碍。更具体地说，它是将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层“挡住了”一部分光线。如此一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高（提高近100%），即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。 与以往1.75μm像素间隔的传统传感器相比，背照式CMOS传感器在灵敏度（S/N）上具有很大优势，感光能力号称是过去同尺寸传感器的两倍。 　　正是由于背照式CMOS传感器的这些优势，搭载了此款产品的数码相机通常具有以下优势：1：拥有更高的宽容度（可以被理解为高光部分不容易溢出、而低光部分不容易欠曝）2：拥有更快的数据吞吐率（通常都支持高速连拍、甚至全高清视频拍摄）3：拥有更佳的低光照成像能力（高感光度下的成像表现大大优于传统产品） 所以，背照式CMOS就当前在数码相机行业来说，已经足以被当作是“高画质”的代名词了。

背照式CMOS的优缺点是什么

4，什么是背入式CMOS

背照式CMOS就是把感光元件掉转方向，让光从背面直接照射进来，使之不会受到原本位于CMOS正面的电路和晶体管的影响，从而增大感光量，可以显著提高低光照条件下的拍摄效果。
你好！ 与普通ccd传感器相比，背照式cmos传感器通过向没有布线层的一面照射光线从而避免了金属线路和晶体管的阻碍。更具体地说，它是将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把a/d转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统cmos传感器一样，a/d转换器和放大电路位于光电二极管的上层“挡住了”一部分光线。如此一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高（提高近100%），即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。 与以往1.75μm像素间隔的传统传感器相比，背照式cmos传感器在灵敏度（s/n）上具有很大优势，感光能力号称是过去同尺寸传感器的两倍。 　　正是由于背照式cmos传感器的这些优势，搭载了此款产品的数码相机通常具有以下优势：1：拥有更高的宽容度（可以被理解为高光部分不容易溢出、而低光部分不容易欠曝）2：拥有更快的数据吞吐率（通常都支持高速连拍、甚至全高清视频拍摄）3：拥有更佳的低光照成像能力（高感光度下的成像表现大大优于传统产品） 所以，背照式cmos就当前在数码相机行业来说，已经足以被当作是“高画质”的代名词了。

5，背照式cmos传感器和CMOS传感器有什么区别如题 谢谢了

传统的CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管实际感光的面积变小，感光能力变弱。CCD的单个像素点不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管能获得更大的实际感光面积，开口率更大，因此在小尺寸影像传感器领域，目前CCD仍占据一定优势，而在大尺寸影像传感器领域，由于单个像素点的面积大，A/D转换器和放大电路占用的面积只是整个像素的很小一部分，影响不大，因此CMOS传感器也得到了广泛的应用。 而背照式CMOS将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，“挡住了”一部分光线。这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。 相比较之下，传统的表面照射型CMOS传感器的光电二极管位于整个芯片的最下层，而A/D转换器和放大电路位于光电二极管上层，因此光电二极管离透镜的距离更远，光线更容易损失。同时，这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路，因此直接导致实际能够感光更少。而背照式CMOS传感器解决了这样的问题。 过这两个优点并非被照式CMOS传感器特有，是当今新款的CMOS传感器普遍都能做到的，这就是为什么越来越多数码相机采用CMOS传感器了，毕竟大像素和高速的性能会直接影响最终消费者的选择。满意请采纳

6，什么是背照式CMOS技术好在哪儿

　　Exmor R CMOS的简介　　Exmor R CMOS背面照明技术感光元件，改善了传统CMOS感光元件的感光度。Exmor R CMOS采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术，由于不受金属线路和晶体管的阻碍，开口率（光电转换部分在一个像素中所占的面积比例）可提高至近100%。与其以往1.75μm间隔的表面照射产品相比，背面照射产品在灵敏度（S/N）上具有很大优势。　　Exmor R CMOS的优势　　传统的CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管实际感光的面积变小，感光能力变弱。CCD的单个像素点不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管能获得更大的实际感光面积，开口率更大，因此在小尺寸影像传感器领域，目前CCD仍占据一定优势，而在大尺寸影像传感器领域，由于单个像素点的面积大，A/D转换器和放大电路占用的面积只是整个像素的很小一部　　感光原理分，影响不大，因此CMOS传感器也得到了广泛的应用。　　而Exmor R CMOS将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，“挡住了”一部分光线。这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。　　相比较之下，传统的表面照射型CMOS传感器的光电二极管位于整个芯片的最下层，而A/D转换器和放大电路位于光电二极管上层，因此光电二极管离透镜的距离更远，光线更容易损失。同时，这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路，因此直接导致实际能够感光更少。而Exmor R背照式CMOS传感器解决了这样的问题。

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