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1，mos管导通条件

雨余秋藓几堆锦，日出朝葵千簇金。

mos管导通条件

2，P型MOS管的导通条件是什么

对PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。

P型MOS管的导通条件是什么

3，nmos管导通饱和截止条件

PMOS增强型管：uG-uS|uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压； NMOS增强型管：uG-uS>0，且 |uG-uS|>|uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压； PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。

nmos管导通饱和截止条件

4，三极管工作导通条件和MOS管都是导通工作条件

第一个是pnp三极管不符合到同条件所以不会导通第二不会
我也不懂。。。。
谁能不能详细地说说MOS管的导通条件。请高手教授一下。
控制积电压大于或等于输入电压才完全道通

5，下面图片中的MOS管在什么情况下导通

在PQB03收到ACDRV这个信号之前是出于截止状态，因VIN加到了PQB03的漏极所以P1此时并没有电压。见图：当芯片发出ACDRV这个信号后PQB03和PQB04两个NMOS开启，此时有了P1和P2，P1为适配器电压19V经PRB11和PRB12分压(PRB12*19/(PRB11+PRB12)),分压后的电压是4.75V。见下图。那么根据NMOS管的导通条件栅极电压必须高于源极4.5V以上才可以导通，现在源极是19V而栅极是4.75V，这个管子怎么可以导通。见下图。即便此管可以正常导通，但是ACDRV得信号电压是25V加到此管的漏极，这个MOS管还是不能够导通。见下图：
是防止主人用其它的适配器，可能插头正、负极不同造成烧机的可能。

6，mosfet导通

这里你是没有说明两个条件，一是电源是交流还是直流的220V，这个电压很容易让人想到是交流市电，交流是不能直接接到MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。
你的公共点在那里呢就是gnd?还有两个交流和直流是否共地的?首先你看irf4905的datasheet,其vgs(th)等于-2v就导通,就是当g比s在小2v的情况下就导通了.之前用6v交流没导通的时候,g和s的值分别是12v和6v,vgs=+6v,绝对不会导通.后面的12v交流加入的时候,g和s的值都是12v,如果你的输入交流12v是指峰值电流,他还不回导通,但如果输入的12v交流是有效值,那它峰值肯定超过12,这时候s比g的瞬时电压差大,vgs有可能小于-2v,所以会导通.而且,如果不共地的话,没有参考点那两者电压比较就成了随机数,导通不导通就是随机的了!

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