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1，我公司现有台晶体管特性图示仪要测量场效应管的参数测电流和电压

伏安特性曲线起始点的斜率就表征了导通电阻，斜率越大，电阻越小。

我公司现有台晶体管特性图示仪要测量场效应管的参数测电流和电压

2，mos管的rdson的测试条件为什么是id设为一半

测试条件GD脚短路IDS250uA
看这图里是 n 型的，3q 查看原帖>>

mos管的rdson的测试条件为什么是id设为一半

3，求助 低压mosfet RDSON 测试问题

首先需要确定最基本的参数,即最大耐压值,和能忍受的最大电流值,然后根据你设计的电路,来选择型号,另一方面MOSFET就需要注意Rdson,因为这个值直接影响到它的开关损耗,继而影响到温度,再影响到耐压值,所以选的Rdson要小.Rdson即导通时的电阻值.
同问。。。

求助 低压mosfet RDSON 测试问题

4，irf3205的 RDSon 静态漏源导通电阻 8m是什么意识多少欧姆啊是

RDS(ON)欧姆的意思是场效应管FET漏极D与源极S之间导通时D、S之间的电阻，单位是欧姆，ON表示导通rDS-漏源电阻。包括：rDS（ON）-漏源通态电阻rDS（Off）-漏源断态电阻做功率开关管时（如开关电源，LED驱动），rDS（ON）-漏源通态电阻越小，通
额

5，如何用Tektronix Curve Tracer 576正确测量Rdson

搞那么复杂干嘛？curve tracer用来测试DMOS的I-V特性的，好像类似示波器。直接找个手动探针台，扎针加电测试就好了啊，保证device工作在线性区就行了啊。和MOS管I-V测试没什么差异啊，测得DMOS的线性区下的I-V曲线后，取Vd=0.1V，Vg=5V (或者是你们规定的电压)，然后得出Id。Rds=Id/Vd*A，就可以了。唯一要知道的就是你的Device 面积，Device pitch （不是沟道长度L哦）乘以Channel Width即可。

6，如何计算Rdson

追问以下，如果Rdson的Datesheet上的温度是指实际Mos管的发热时的测量温度，我应该测量具体Mos管的什么部位呢。这个温度值如何通过计算预先得知呢，也就是说在设计阶段，也就是硬件没有安装的时候，就可以知道Rdson的值呢。我觉得大概可以通过功来换算成发热量，但是如何由发热量来估计实物的温度啊。
Tj的温度是不是由外壳的温度加上管芯硅片升高的温度呢，比如我测得外壳为20度，硅片计算得出升高五度，那这个时候Tj就是25度?用这个公式Tc =Tj - P*Rjc ?参见 http://www.baike.com/wiki/%E7%83%AD%E9%98%BB
什么型号的芯片？不知道芯片怎么算[em:12:]

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