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1，掩膜板属于光刻技术的范畴吗

可以，掩膜版（光刻版）应用的是光刻技术。

掩膜板属于光刻技术的范畴吗

2，简述光刻的工艺过程步骤

1. wafer 表面处理； 2. 旋涂光刻胶（包括抗反射层） 3. 前烘； 4. 曝光； 5. 后烘； 6. 显影，有的需要在显影前进行坚膜； 7. 刻蚀

简述光刻的工艺过程步骤

3，光刻技术的种类及介绍

你可以参看这些资料http://baike.baidu.com/view/359979.htm?fr=ala0_1http://baike.baidu.com/view/1117847.htm
我不会~~~但还是要微笑~~~：）

光刻技术的种类及介绍

4，光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义

光刻工艺主要步骤1. 基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，2. 涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。3. 前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。4. 对准和曝光(A＆E) 保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。所以，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。5. 显影显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。6. 后烘(坚膜)经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。 7. 刻蚀刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。8. 去除光刻胶刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必须从表面去掉。
显影是把没固化的料洗掉，它的图案是不是掩模板的图案和你用的正胶与负胶有光
毛毛 你好傻希望对你有所帮助，望采纳。
毛毛 你好傻

5，光刻机中国能造吗

暂时不能光刻机不是一项单一的技术，而是现代各项高科技技术的集成，成品背后需要无数的产业链支持，以中国现在的科技水平暂时还不能造出。当中国专家去荷兰阿斯麦尔公司参观光刻机的时候，阿斯麦尔的高管直接对中国的专家说：就算给你全套图纸，你们中国也造不出光刻机。 很多中国人听到这句话都非常的气愤，凭什么中国就造不出光刻机？近年来关于国产光刻机弯道超车的新闻频繁在各类媒体中出现，国人想要在光刻机技术上超越欧美发达国家的爱国情怀可以理解，但部分媒体为了博取眼球对国产光刻机过分的吹捧，不尊重事实的报道对普通大众而言其实是一件特别不负责任的事情。理想很丰满，现实很骨感，以中国现在的科技水平确实造不出光刻机，光刻机不是一项单一的技术，而是现代各项高科技技术的集成，光刻机的内部十分复杂，可以说是人类知识集大成的产物之一，光刻机就像手机和汽车一样，是由无数的零配件组装合成的，最终实现某种功能，成品背后需要无数的产业链支持，各式各样的零配件都是行业内顶级的技术体现，没有长时间的深耕运作，国产光刻机在单一的某项技术上实现领先是没问题的，但是想要在整体上实现弯道超车，基本上不现实。举个例子：比如马拉松长跑比赛，第二名与第一名的差距相差3公里，在某一个时间段，第二名选手的速度超过了第一名选手，这仅仅代表着第二名选手最终有超越第一名选手的可能，但是3公里路程的巨大差距却不是一时半会可以赶上的，想要超越，时间跨度将非常大，因为你在努力向前跑的同时对手也在努力向前跑。荷兰阿斯麦尔之所以能够垄断全球最顶尖的光刻机市场，不是因为荷兰人聪明，单纯靠荷兰人也研发不出光刻机，光刻机的研发集合了全球优势资源加上半导体几十年的技术积累，最终在数以万计的专业的顶尖研发人员不断技术突破下才成功，荷兰的幸运在于目前只有荷兰掌握光刻机最核心的技术“侵入式光刻技术”，所以现在顶级光刻机只有荷兰有能力生产。技术是研发的外在体现，任何技术的突破都是厚积薄发的结果，光刻机需要的技术方向特别多，比如机械化层面，自动化层面，系统科学层面等一大堆方向都需要有人去攻关，有些地方是知道技术壁垒的，但是如何突破技术壁垒还没有头绪，有些地方连技术壁垒在什么地方都没找到，更别谈技术突破了，而且任何一项技术的突破都需要长年累月技术投入，资金投入，人员投入。技术积累并不是钱能够解决的，目前国内在光刻机领域做得比较好的是上海微电子装备和中科院的某个研究所，它们目前还停留在90nm研发产品阶段，而荷兰阿斯麦尔7nm的光刻机已经实现量产，当然这并不代表国产光刻机没有超越的机会，目前国内对光刻机的重视程度越来越高，大量的资金和顶尖的人才都在光刻机领域深耕研究。国产光刻机其实只要在某些关键技术上取得突破，就算得上是弯道超车了，就好比荷兰阿斯麦尔在光刻机“侵入式光刻技术”上领先全球一样，没有这项关键性技术，就无法制造更顶级的光刻机，所以目前只有荷兰才有资格制造顶级光刻机。

6，光刻技术的原理是什么

光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。
芯片纳米光刻机究竟是什么，原理是怎样的呢？今天算长见识了
光刻技术的原理集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。　　光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，这其中包含有很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。
概述RDJ-I正型光刻胶是液晶显示器用正性光刻胶，可同时适用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等优点。RDJ-I正型光刻胶采用环保溶剂。RDJ-I正型光刻胶一般规格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用时可根据需要稀释成不同固含量和粘度。技术指标如下表：颜色 砖红色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(热板)曝光 60-100mj/cm2显影 0.8% KOHx60sec后烤 热板120℃×120sec蚀刻 HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剥离 4%NaOH@50℃×120sec贮存期限（25℃以下暗处贮存） 6个月操作工艺参数：1．涂布：23℃，辊涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(热板)，烤道100℃3—5分钟；3．曝光：90mj/cm2；4．显影：23℃，0.4% NaOH，1min，喷淋或浸渍；5．后烤：热板120℃×120sec，烤120℃,3-5分钟；6．蚀刻：45℃，FeCl3/HCl或HNO3/ HCl；7．剥离：23℃ 4-6% NaOH
集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。两种工艺：①光复印工艺②刻蚀工艺

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