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1，半导体激光器的分类及应用有哪些

半导体就钢企的分类主要有异质结构激光器、条形结构激光器、GaAIAs/GaAs激光器、InGaAsP/InP激光器、可见光激光器、动态单模激光器、分布反馈激光器、量子阱激光器、表面发射激光器、微腔激光器；主要应用在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面。

半导体激光器的分类及应用有哪些

2，什么是半导体激光器

半导体激光器又称激光二极管(LD)。进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术，同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够精确地控制晶体生长，达到原子层厚度的精度，生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。于是，制作出的LD半导体激光二极管dgost.com/bandaotijiguangerjiguan，其阈值电流显著下降，转换效率大幅度提高，输出功率成倍增长，使用寿命也明显加长。

什么是半导体激光器

3，半导体激光治疗仪的效果怎么样长期使用对身体有什么危害吗 搜

效果是根据个人体质对光的敏感程度，以及个人的血液血管毒素的沉积现状而定的，有些人第一次使用就能在血压表上看到明显的改观，有些人可能要长一些。路是通的，就看你怎么坚持吧。这个光疗肯定是需要您有耐心循序渐进的，不可能一口吃个胖子立杆见影。因为它是纯天然光疗手段慢慢瓦解血液垃圾和血管沉积的，直至疏通活化您的血管，回复心血管正常状态。不过，过量照射激光绝对是有害的，每天尽量不能超过1.5小时，否则，物极必反。
病情分析：你好，半导体激光治疗的原理是利用光化学效应从而改善血液，血脂等。半导体激光辐射是有的，虽然激光可以穿透皮肤，但是并不会伤害人体细胞组织，对人类的危害很小的。而且半导体激光治疗时一般不直接接触身体的，辐射量也会小一些，不同的射线辐射的大小也是不同的
看你用来治疗什么病症，也要看你怎么去用。激光能导致失明，也会灼伤皮肤。
半导体激光治疗仪用鼻腔照射的大概价位是2000多元，国内也有低价格的，但品质和疗效就很难有保障了。“中国.光谷”知名企业武汉海纳川科技有限公司是国内最大最专业的家用激光治疗仪生产企业，仅供参考。

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4，半导体激光器的工作原理

根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。半导体复合发光达到受激发射（即产生激光）的必要条件是：①粒子数反转分布分别从P型侧和n型侧注入到有源区的载流子密度十分高时，占据导带电子态的电子数超过占据价带电子态的电子数，就形成了粒子数反转分布。②光的谐振腔在半导体激光器中，谐振腔由其两端的镜面组成，称为法布里一珀罗腔。③高增益用以补偿光损耗。谐振腔的光损耗主要是从反射面向外发射的损耗和介质的光吸收。半导体激光器是依靠注入载流子工作的，发射激光必须具备三个基本条件：（1）要产生足够的 粒子数反转分布，即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数；（2）有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡；（3）要满足一定的阀值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质（即利用电子）在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。半导体激光器优点：体积小、重量轻、运转可靠、耗电少、效率高等。

5，什么是半导体激光器

固态物质中，允许大量电子自由自在地在它里面流动的叫导体；只允许极少数电子通过的叫绝缘体；导电性低于导体又高于绝缘体的叫半导体。激光工作物质采用半导体的激光器叫半导体激光器。尽管半导体本身也是一种固体，而且发光机理就本质上讲与固体激光器没有多大差别。但由于半导体物质结构不同，产生激光的受激辐射跃迁的高能级和低能级分别是“导带”和“价带”，辐射是电子与“空穴”复合的结果，具有其特殊性，所以没有将它列入固体激光器。半导体激光工作物质有几十种，较为成熟的是砷化镓（GaAs）、掺铝砷化镓等。激励方式有光泵浦、电子轰击、电注入式等。半导体激光器体积小、重量轻、寿命长、结构简单，因此，特别适于在飞机、军舰、车辆和宇宙飞船上使用。有些半导体激光器可以通过外加的电场、磁场、温度、压力等改变激光的波长，即所谓的调谐，可以很方便地对输出光束进行调制；半导体激光器的波长范围为0.32～34微米，较宽广。它能将32313133353236313431303231363533e58685e5aeb931333431363532电能直接转换为激光能，效率已达10％以上。所有这些都使它受到重视，所以发展迅速，目前已广泛应用于激光通信、测距、雷达、模拟、警戒、引燃引爆和自动控制等方面。半导体激光器最大的缺点是：激光性能受温度影响大，比如砷化镓激光，当温度从绝对温度77°K变到室温时，激光波长从0.84变到0.91微米。另外，效率虽高，但因体积小，总功率并不高，室温下连续输出不过几十毫瓦，脉冲输出只有几瓦到几十瓦。光束的发散角，一般在几度到20度之间，所以在方向性、单色性和相干性等方面较差。

6，常见半导体激光器的工作波段有哪些

波长紫光：400~410nm蓝光：445~450nm，462~465nm绿光：510~520nm橙红及红光：635~638nm，650~660nm红外光：780~2000nm其他更多不常见的稀有波长请参考日亚化学的激光二极管产品页列表。
半导体激光器工作原理： 　　半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质(既利用电子)在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输出激光。　 　 半导体激光器特点：半导体激光器激光器优点是体积小，重量轻，运转可靠，耗电少，效率高等特点。 半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件.其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用.半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由gaas(砷化镓),inas(砷化铟),insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用n型或p型半导体单晶(如gaas,inas,insb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用n型或者p型半导体单晶(如pbs,cds,zho等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式gaas二极管激光器.

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