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1，subbandgap 是什么意思

bandgap是带隙，一般就是价带最高点到导带最低点的距离（能量）。sub-bandgap 子带隙
额

subbandgap 是什么意思

2，电催化与带隙关系

带隙过宽会不利于电催化反应中的电子转移过程。电催化是使电极、电解质界面上的电荷转移加速反应的一种催化作用。电催化与带隙关系是带隙过宽会不利于电催化反应中的电子转移过程。带隙bandgap又称“禁区”。指由原子约束的“价带”电子和徘徊的“导带”电子之间的能量间隙。

电催化与带隙关系

3，band gap state是什么意思

能带间隙 这个意思
我觉得就是让你解释一下你高中毕业和预期的大学入学时间之间你干嘛去了……比如说你10年高中就毕业了，为什么申请的是12年入学的，这两年你在做什么

band gap state是什么意思

4，bandgap 和 band gap 的区别

bandgapn. 能带隙总体精度为0.1%级别的。 再后来，能带隙（Bandgap）集成电路大量出现，比如最常用的LM385-1.2（温漂30ppm/C，电流范围大）、TL431（并联稳压），广泛用于各种电源和电子电路中。band gap[电子][物] 带隙 能隙3, 4-二烷氧基取代聚噻吩的合成、表征与光学性能

5，为什么bandgap与电源无关

最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些Bandgap结构输出电压与带隙电压也不一致。

6，带隙基准的介绍

Bandgap voltage reference，常常有人简单地称它为Bandgap。最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些Bandgap结构输出电压与带隙电压也不一致。

7，带隙基准源什么是带隙基准源

Bandgap voltage reference，常常有人简单地称它为Bandgap。最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多
最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25v。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些bandgap结构输出电压与带隙电压也不一致

8，bandgap电路原理

电路有两种稳定状态，分别是两路电流大于零且相等和都等于零。电路上电，负反馈强于正反馈时，vp-vn<0，运放输出低电位0，M1,2导通，电路正常工作;正反馈强于负反馈时， vp-vn>0运放输出高电位1，M1,2截止则M1,2漏极以下电位都为0（=VSS），此为电路的另一个稳定状态-零电流状态。所以bandgap必须要有启动电路保证电路上电时负反馈强于正反馈，从而可靠启动。运放输出电位0和电位1的个人理解：运放未失调时Vo=Vb1+A*（vp-vn）,Vb1为大信号，是直流偏置；vp-vn为小信号，小于0时拉低Vb1到最低点位0，大于0时抬高b1到最高电位1。

9，Energy bandgap是什么意思

能隙当无数个原子聚在一起，原子和原子的距离也拉近时，不同原子的电子和原子核间起了交互作用，使得电子存在的轨道，由单一轨道的能阶变成混成轨域，当原子与原子更接近达至稳定的晶格常数距离时，轨域又分开变成带状轨道的“能带间隙”。 http://pesto.lib.nthu.edu.tw/wiki/index.php?title=Energy_bandgap&variant=zh-my
energy kk: [] dj: [] n. 1. 活力,干劲[u] they are working with energy. 他们正在干劲十足地工作。 2. 精力,能力[u][p] they devoted all their energies to the job. 他们把自己的全部精力投入这项工作。 3. 【物】能,能量[u] 4. n. 精力, 精神, 活力, [物]能量

10，什么是band gap emission

band gap emission带隙排放例句释义:全部1.In chapter 4, the stress effect on the near band gap emission of ZnOnanowires is investigated.第四章研究了氧化锌纳米线中应力对带边发射的影响。2.Spontaneous emission in three-dimensional photonic crystals with anincomplete band gap不完全带隙三维光子晶体中的自发发射
band gap emission带隙发射是半导体的一种技术：In semiconductor physics, the band gap of a semiconductor is always one of two types, a direct band gap or an indirect band gap.再看看别人怎么说的。
band gap emission带隙发射是半导体的一种技术：In semiconductor physics, the band gap of a semiconductor is always one of two types, a direct band gap or an indirect band gap.

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