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1，PECVD的中文名称是什么

变成PECVD装置te几
等离子体增强化学气相沉积法

PECVD的中文名称是什么

2，PECVD是什么

PECVD就是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域，PCEVD是等离子体增强化学气相沉积英文的各个词字母的首个字母。

PECVD是什么

3，PECVD反应时什么情况下需要延长时间延长时间由什么因素决定

膜薄＋时间。但是膜薄颜色也不同
pecvd 载片盘铝材质的，反应时是不会旋转的。旋转的那是mocvd的托盘，一般为石墨的。

PECVD反应时什么情况下需要延长时间延长时间由什么因素决定

4，缩略语PECVDLPCVDHDPCVD和APCVD的中文名称分别是和

【答案】：等离子体增强化学气相淀积，低压化学气相淀积，高密度等离子体化学气相淀积，常压化学气相淀积解析：PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) ，即等离子体增强化学气相淀积 。LPCVD(low pressure chemical vapor deposition)，即低压化学气相淀积。HDPCVD（high-density plasma chemical vapor deposition），即高密度等离子体化学气相淀积。APCVD（atmospheric pressure CVD），即常压化学气相淀积。

5，PECVD等离子化学气象沉积原理是什么

pecvd等离子体增强化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。

6，PECVD工作原理是什么

PECVD--等离子体化学气相沉积法　　为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).　　实验机理：　　辉光放电等离子体中：电子密度高(109~1012/cm3)　　电子气温度比普通气体分子温度高出10-100倍　　虽环境温度(100-300℃)，但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解，离解和离化，从而大大提高了参与反应物的活性。　　因此，这些具有高反应活性的中性物质很容易被吸附到较低温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。　　优点：基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔少，不易龟裂。　　缺点：1.设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高；　　2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害；　　3.对小孔孔径内表面难以涂层等。

7，解释下pecvd

PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温实现。由于PECVD方法的主要应用领域是一些绝缘介质薄膜的低温沉积，因而PECVD技术中等离子体的产生也多借助于射频的方法。本实验室使用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD），射频电源采用电容耦合方式，射频频率为27.12MHz。

8，PECVD工作原理是什么

1PECVD工艺的基本原理PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。其工艺原理示意图如图1所示。在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排出。2.2PECVD设备的基本结构PECVD设备主要由真空和压力控制系统、淀积系统、气体及流量控制、系统安全保护系统、计算机控制等部分组成。其设备结构框图如图2所示。2.2.1真空和压力控制系统真空和压力控制系统包括机械泵、分子泵、粗抽阀、前级阀、闸板阀、真空计等。为了减少氮气、氧气以及水蒸气对淀积工艺的影响，真空系统一般采用干泵和分子泵进行抽气，干泵用于抽低真空，与常用的机械油泵相比，可以避免油泵中的油气进入真空室污染基片。在干泵抽到一定压力以下后，打开闸板阀，用分子泵抽高真空。分子泵的特点是抽本体真空能力强，尤其是除水蒸汽的能力非常强。2.2.2淀积系统淀积系统由射频电源、水冷系统、基片加热装置等组成。它是PECVD的核心部分。射频电源的作用是使反应气体离子化。水冷系统主要为PECVD系统的机械泵、罗茨泵、干泵、分子泵等提供冷却，当水温超过泵体要求的温度时，它会发出报警信号。冷却水的管路采用塑料管等绝缘材料，不可用金属管。基片加热装置的作用使样品升温到工艺要求温度，除掉样品上的水蒸气等杂质，以提高薄膜与样品的附着力。2.2.3气体及流量控制系统PECVD系统的气源几乎都是由气体钢瓶供气，这些钢瓶被放置在有许多安全保护装置的气柜中，通过气柜上的控制面板、管道输送到PECVD的工艺腔体中。在淀积时，反应气体的多少会影响淀积的速率及其均匀性等，因此需要严格控制气体流量，通常采用质量流量计来实现精确控制。

9，PECVD定义

PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD). PECVD优点：基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。 PECVD缺点： 　1.设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高； 　2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害； 　3.对小孔孔径内表面难以涂层等。 常见的PECVD薄膜： 　氮化硅、氧化硅、氮氧硅等

10，PECVD是什么

等离子体增强化学气相沉积
硅烷和氨的反应是沉积在晶片表面的SiN抗反射膜。采用高频电源，以产生辉光放电等离子体技术影响的化学气相沉积工艺。由于等离子体以促进气体分子，化合物，激发和离子化，促进反应性基团形成的分解的存在，从而降低沉积温度。 PECVD法在200℃?500℃沉积的范围内，CVD沉积远远高于其他较小的在700℃?950℃范围内。在大量的氢离子的反应被注入到硅晶片上，从而使悬挂键中硅缺陷无活性的饱和度，以达到表面和体钝化钝化目的。
PECVD--等离子体化学气相沉积法　　为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).　　实验机理：　　辉光放电等离子体中： 电子密度高 (109~1012/cm3)　　电子气温度比普通气体分子温度高出10-100倍　　虽环境温度(100-300℃)，但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解，离解和离化，从而大大 提高了参与反应物的活性。　　因此，这些具有高反应活性的中性物质很容易被吸附到较低温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。　　优点：基本温度低；沉积速率快；　　成膜质量好，针孔少，不易龟裂。　　缺点：1.设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高；　　2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害；　　3.对小孔孔径内表面难以涂层等。　　例子：在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路最后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性。

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