硅材料，硅材料的介绍

1，硅材料的介绍

重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。

硅材料的介绍

2，硅都有哪些性质

一种非金属元素，是一种半导体材料，太阳能电池片的主要原材料。可用于制作半导体器件和集成电路。一种四价的非金属元素,以化合物的形式，作为仅次于氧的最丰富的元素存在于地壳中，主要以熔点很高的氧化物和硅酸盐的形式存在。在自然界中几乎没有游离态的硅。

硅都有哪些性质

3，什么是硅材料

硅材料 -------是一种重要的半导体材料，化学元素符号是Si，是许多电子元件的关键制作材料。

硅塑原材料是新一代玻璃钢替代原料.玻璃钢采用树脂和硅塑采用废旧塑料硅塑原材料成本就降低50%.具有荷载能力强,耐热，耐寒，耐酸碱，耐老化性能，易装备，轻便等优点;性能均达到国内先进水平所以可以用的

什么是硅材料

4，硅胶材料的分类有哪些

1、硅胶分为固体固态硅胶与液态硅胶原材料主要分为要分为硅橡胶、硅树脂、硅油、硅烷硅橡胶：主要分为室温硅橡胶，高温硅橡胶，具有良好电绝缘性能，不易老化，吸附性能高、热稳定性好、化学性质稳定等等特点。也是硅胶制品当中最常见的一种材质。硅树脂：由甲基三氯硅烷、苯基三氯硅烷、二苯基二氯硅烷几种成分原子结构混合物结，一般硅原子上连接有其他烃类基团。硅树脂具有极好的耐水性和耐温性。硅油：是由二甲基二氯硅烷用水溶解然后把环体、封头剂、催化剂放在一起调聚就可得到各种不同聚合度的混合物，在经过最后过滤减压得到硅油。硅烷：对氧具有燃烧化学反应，它是与硅氢的结合物，主要制作于气体源，可用来制作高纯度多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、异质硅、各种金属硅化机。通常用途光电技术，太阳能，电池，显示器。玻璃与有机玻璃镀，在现在的科技发展当中应用非常广泛，硅烷自发着火范围和极强，燃烧范围广，是一种高危险性的气体。硅胶制品2、主要分为挤出硅胶、模压硅胶、液态硅胶,特种硅胶四种。挤出硅胶：通过机械高温挤压成为形状，一般分为硅胶条，硅胶管等硬度在-10度-40度左右。模压硅胶：是由固体硅胶原材料经过炼胶添加硫化剂在进行高温成型模压机台通过高温模压成型制作，一般分为工业配件，生活用品，医疗用品，饰品等等。硬度在20度-80度之间，颜色自定义。液态硅胶：主要生产工艺为注塑机进行注塑制作流程，材质较软，主要应用到医疗技术，性用品，人体器官等方面。

5，金属硅的硅的性质

硅是半金属之一,旧称“矽”。熔点为1420℃，密度为2.34克/厘米3。质硬而脆。在常温下不溶于酸，易溶于碱。金属硅的性质与锗、铅、锡相近，具有半导体性质。硅在地壳中资源极为丰富，仅次于氧，占地壳总重的四分之一还多，以二氧化硅或硅酸盐形式存在。最纯的硅矿物是石英或硅石。硅有两种同素异形体：一种为暗棕色无定形粉末，性质活泼，在空气中能燃烧；另一种为性质稳定的晶体（晶态硅）。一般硅石和石英用于玻璃和其它建材，优质的石英用于制作合金、金属和单晶

金属硅的用途：金属硅（si）是工业提纯的单质硅，主要用于生产有机硅、制取高纯度的半导体材料以及配制有特殊用途的合金等。（1）生产硅橡胶、硅树脂、硅油等有机硅硅橡胶弹性好，耐高温，用于制作医疗用品、耐高温垫圈等。硅树脂用于生产绝缘漆、高温涂料等。硅油是一种油状物，其粘度受温度的影响很小，用于生产高级润滑剂、上光剂、流体弹簧、介电液体等，还可加工成无色透明的液体，作为高级防水剂喷涂在建筑物表面。（2）制造高纯半导体现代化大型集成电路几乎都是用高纯度金属硅制成的，而且高纯度金属硅还是生产光纤的主要原料，可以说金属硅已成为信息时代的基础支柱产业。（3）配制合金硅铝合金是用量最大的硅合金。硅铝合金是一种强复合脱氧剂，在炼钢过程中代替纯铝可提高脱氧剂利用率，并可净化钢液，提高钢材质量。硅铝合金密度小，热膨胀系数低，铸造性能和抗磨性能好，用其铸造的合金铸件具有很高的抗击冲击能力和很好的高压致密性，可大大提高使用寿命，常用其生产航天飞行器和汽车零部件。硅铜合金具有良好的焊接性能，且在受到冲击时不易产生火花，具有防爆功能，可用于制作储罐。钢中加入硅制成硅钢片，能大大改善钢的导磁性，降低磁滞和涡流损失，可用其制造变压器和电机的铁芯，提高变压器和电机的性能。随着科学技术的发展，金属硅的应用领域还将进一步扩大

6，硅材料的简介

在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低又非单晶体。1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。1953年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提纯又能拉制单晶。1955年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。1956年研究成功氢还原三氯氢硅法。对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯氢硅法成为一种主要的方法。到1960年，用这种方法进行工业生产已具规模。硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速发展。80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。硅还是有前途的太阳电池材料之一。用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。导电类型　导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。电阻率与均匀度　拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。非平衡载流子寿命　光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。晶向与晶向偏离度　常用的单晶晶向多为 (111)和(100)（见图）。晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外，不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于 200/厘米2者称为无位错单晶，无位错硅单晶占产量的大多数。在无位错硅单晶中还存在杂质原子、空位团、自间隙原子团、氧碳或其他杂质的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈状或螺旋状者称为旋涡缺陷。热加工过程中，硅单晶微缺陷间的相互作用及变化直接影响集成电路的成败。

硅是地壳上最丰富的元素半导体, 性质优越而工艺技术比较成熟,已成为固态电子器件的主要原料。为适应超大规模集成电路的需要,高完整性高均匀度(尤其是氧的分布) 的硅单晶制备技术正在发展。虽然在超速集成电路方面砷化镓材料表现出巨大的优越性，但尚不可能全面取代硅的地位。硅材料在各种晶体三极管、尤其是功率器件制造方面仍是最主要的材料。无定形硅可能成为同单晶硅并列的重要硅材料。无定形硅和多晶硅太阳电池的成功将使硅材料的消耗量急剧增加。

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