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1，硅光芯片相关股票相关概念

硅光芯片相关股票相关概念有：　　1.长电科技　　2.华天科技　　3.同方国芯　　4.晶方科技　　5.紫光股份　　6.环旭电子　　7.大唐电信　　8.光迅科技。
同问。。。

硅光芯片相关股票相关概念

2，与传统芯片相比硅光芯片在封装方面有什么要求

这个问题，就像你买电脑时一样，做CPU的厂家（如INTEL ，AMD)，他们不做电脑，但做电脑的，如联想，华硕，他们又不做CPU。具体到这个问题呢，LED芯片是指的做LED的核心部件，中文叫发光二极管，由一个PN结加上相应的电极和结构部分而成。但这个芯片没有办法直接使用，一方面是因为芯片很小，另一方面是因为芯片只能发特几种颜色的光。因此就需要对LED芯片进行进一步加工，即LED的封装。封装就是把LED芯片固定在一个特定的支架上，支架既可以满足芯片的散热，也可以对芯片通电。这样封装后的LED就可以直接通电使用了。封装也会涉及到很多专利问题，比如蓝色芯片激发黄色荧光粉产生白光，就是日亚的一项专利技术。
没看懂什么意思？

与传统芯片相比硅光芯片在封装方面有什么要求

3，光电倍增管和硅光二极管两种这二者有什么优缺点

光电倍增管灵敏度极高，信噪比也很好，对于紫外可见区的弱光信号检测很有优势，缺点是线性稍差；硅光电二极管灵敏度低，信噪比差些，主要用于可见和近红外区强光信号检测，优点是线性度比光电倍增管好。NIST自行研制的的参考级（基准）分光光度计，分别在紫外区用PMT，可见区用Si，近红外区用InGaAs这三种检测器，以实现对透射比（吸光度）计量性能的终极追求，当然Si的缺点导致不可检测低于0.1%的透射比，这也限制了美国光谱透射比基准的参数范围：0.1%~100%
光电倍增管，优点：灵敏度高。缺点：体积大，结构复杂，驱动检测电路复杂，硅光二极管，优点：体积很小，结构简单，成本低，使用电足简单。缺点：灵敏度稍低。不过随着工艺的完善，很大程度上都能替代光电倍增管

光电倍增管和硅光二极管两种这二者有什么优缺点

4，半导体硅晶圆片和硅抛光片有什么区别一般Wafer指什么

硅晶圆片是正式的芯片材料，依制造过程入料并形成内部线路，就是有功能可出售的芯圆，一般称为wafer的即是指这种圆片;硅抛光片一般是制造过程中的"假片"又叫dummy 或dummy wafer,是为了设备运行和保护晶圆片而重复使用，属于生产辅料，万万不可混料出货;也有另一个叫抛光的是后工程专业名词，为晶圆片封装切割前必须在反面磨薄抛光，也会叫抛光片;
硅晶圆片是正式的芯片材料，依制造过程入料并形成内部线路，就是有功能可出售的芯圆，一般称为wafer的即是指这种圆片;硅抛光片一般是制造过程中的"假片"又叫dummy 或dummy wafer,是为了设备运行和保护晶圆片而重复使用，属于生产辅料，万万不可混料出货;也有另一个叫抛光的是后工程专业名词，为晶圆片封装切割前必须在反面磨薄抛光，也会叫抛光片;

5，硅光电池的工作原理

硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN 结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。
我用过一个简单方法来辨别：用此方法找到我市市场上能买到的最亮的led（4mm），比一般自称高亮的亮三到五倍（电流相同）。 用一只面积约1平方cm的硅光电池做检测器，直接用数字万用表量电流。不能用光电二极管，因为光电二极管的输出饱和电流小，超高亮的led很容易使它饱和。 两只需比较的led串联，能保证两只led电流相等，接上限流电阻和9v干电池，两个led分别直接对着硅光电池（相接触，以保证方向和距离相同），看对应两个led是硅光电池输出电流大小，输出电流大的led发光强度大。因为还未达到硅光电池的饱和输出电流，所以光强度与输出电流基本上成正比。

6，什么是硅光子技术呀

硅光子技术是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术，用激光束代替电子信号传输数据，英特尔实验室通过混合硅激光器技术的集成激光器，首次实现了基于硅光子的数据连接。原理：硅光子技术利用标准硅实现计算机和其它电子设备之间的光信息发送和接收。与晶体管主要依赖于普通硅材料不同，硅光子技术采用的基础材料是玻璃。由于光对于玻璃来说是透明的，不会发生干扰现象，因此理论上可以通过在玻璃中集成光波导通路来传输信号，很适合于计算机内部和多核之间的大规模通信。硅光子技术最大的优势在于拥有相当高的传输速率，可使处理器内核之间的数据传输速度比目前快100倍甚至更高。研发过程2006年，英特尔和加州大学圣芭芭拉分校成功研发出世界上首款采用标准硅工艺制造的电子混合硅激光器。2008年，英特尔推出"雪崩硅激光探测器"，它一举将硅光子技术的增益带宽积提升到340GHz。
光子集成电路是一项新兴技术，基于晶态半导体晶圆集成有源和无源光子电路与单个微芯片上的电子元件。硅光子技术是可扩展性光收发技术，利用标准硅来实践计算机和其它电子设备之间的光信息发送和接收。与晶体管借助于普通硅材料有所不同，MACOM等一些做有关光通信的，一直在实践细线光刻的硅微光子技术。
硅光子技术是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术，用激光束代替电子信号传输数据，英特尔实验室通过混合硅激光器技术的集成激光器，首次实现了基于硅光子的数据连接。

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