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1，半导体生产流程

切片——磨片——抛光——清洗——外延——氧化——光刻——扩散——....合金——测试——压焊——封装——成品测试

半导体生产流程

2，制作半导体芯片 都有什么工序

半导体芯片的前工序主要是氧化、扩散和光刻；如果需要，还有外延和离子注入。
半导体芯片就是在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件

制作半导体芯片 都有什么工序

3，半导体制造技术的介绍

《半导体制造技术》是2009年电子工业出版社出版的图书，作者是(美国)MichaelQuirk。《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。

半导体制造技术的介绍

4，半导体工艺是什么

半导体工艺就是在IC各种器件、芯片等制造过程中一系列的单项工艺组成的，如光刻、氧化、扩散、离子注入、刻蚀、薄膜沉淀和外延生长等单项工艺。(自己整理的) 近几年全球集成电路市场发展缓慢，中国集成电路市场受到金融危机的影响,行业不景气,发展逐年减缓。 长期来看，如果2010年全球经济发展稳定，在连续经历了多年的低迷发展之后，半导体行业有望在2010年出现反弹。随着中国集成电路市场规模的不断扩大，中国市场的增速也会逐渐平稳，而且和全球半导体市场的发展速度会愈发接近，最终二者市场的发展速度将基本保持一致。
电路

5，半导体生产工艺的主要指标有哪些

半导体生产工艺的主要指标只有一个:良品率，其他:设备精度，人员的素养，程序的规范都以良品率为核心;
半导体存储器的两个技术指标是：存储容量和存取时间。 存储容量：指该存储器的大小，体现所能存储数据的多少。 存取时间：对该存储器读写的时间，时间越短，性能越好。在cpu执行指令时，需要多次对存储器读写，读写时间短可以提高cpu的性能。 半导体存储器(semi-conductor memory) 是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。 按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和mos晶体管存储器。 按其存储原理可分为：静态和动态两种。 其优点是：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。 主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。

6，半导体制造和半导体封装的区别是什么

半导体制造简介：半导体的制造是一个复杂且耗时的过程。 首先要利用设计自动化软件开始电路设计，然后将集成电路设计的版图转印到石英玻璃上的铬膜层形成光刻板或倍缩光刻板；另一方面，由石英砂提炼出的初级硅经过纯化后拉成单晶硅棒，然后切片做成晶圆。晶圆经过边缘化和表面处理，再与光刻板/倍缩光刻板一起送到半导体制造厂制造集成电路芯片。半导体封装简介:半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试，通常经过入检（Incoming）、测试（Test）和包装（Packing）等工序，最后入库出货。典型的封装工艺流程为：划片 装片 键合 塑封 去飞边 电镀 打印 切筋和成型 外观检查 成品测试 包装出货。
半导体发生简并对应一个温度范围：用图解的方法可以求出半导体发生简并时，对应一个温度范围。这个温度范围的大小与发生简并时的杂质浓度及杂质电离能有关：电离能一定时，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越大；发生简并的杂质浓度一定时，杂质电离能越小，简并温度范围越大。简并半导体的载流子浓度：对于n型半导体，施主浓度很高，使费米能级接近或进入导带时，导带底附近底量子态基本上已被电子占据，导带中底电子数目很多的条件不能成立，必须考虑泡利不相容原理的作用。这时，不能再用玻耳兹曼分布函数，必须用费米分布函数来分析导带中电子的分布问题。这种情况称为载流子的简并化。发生载流子简并化的半导体称为基本半导体，对于p型半导体，其费米能级接近价带顶或进入价带，也必须用费米分布函数来分析价带中空穴的分布问题。简并时的杂质浓度：对n型半导体，半导体发生简并时，掺杂浓度接近或大于导带底有效状态密度；对于杂质电离能小的杂质，则杂质浓度较小时就会发生简并。对于p型半导体，发生简并的受主浓度接近或大于价带顶有效状态密度，如果受主电离能较小，受主浓度较小时就会发生简并。

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