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1，生产多晶硅对人体有什么危害

硅本身没有毒和放射性。 但是加工过程使用很多有毒物质和强电磁辐射的机器。 如果准备要孩子还是不要做这个的好.
看你负责的是哪个环节，及厂里的设备情况而定，不过一般生产多晶硅不会对人体有危害，除非有氯气什么的泄露才可能有危险

生产多晶硅对人体有什么危害

2，请问多晶硅最直接的用途是做什么主要是什么企业在采购该产品

用电子元件，提纯单晶硅，做太阳能用的硅切片之类的，主要是电子元件，和光伏产业的这些企业在使用
当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占55％左右，太阳能级多晶硅占45％，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。

请问多晶硅最直接的用途是做什么主要是什么企业在采购该产品

3，生产多晶硅过程中有粉尘吗

多晶硅生产过程中可能存在粉尘危害，主要是在硅粉与氯化氢和成三氯硅烷过程中，硅粉的装卸、进料等，以及成品多晶硅棒破碎过程中可能存在粉尘。一般多晶硅生产一般都是管道化生产，涉及的化学因素主要为一些酸碱类，物理因素主要为噪声，可能引起的危害有噪声聋、化学性灼伤等。一般在采取一定个人防护的正常生产状况下，得职业病的可能性小，文献中这些因素对生育的影响为检索到。
你好！最近好多问多晶硅的问题的人 多晶硅生产过程中只有外操才会长期在现场 一般不会有什么问题 而且多晶硅企业呼吸器是必备的 硅粉之类的粉尘一般不会出来 只有放空的时候会有HCL气体 不过也不会太多 戴上呼吸器基本上没什么影响 至于影响生育的问题还没遇见过希望对你有所帮助，望采纳。

生产多晶硅过程中有粉尘吗

4，多晶硅的生产工艺

流化床法 以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。 制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。 此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。 流化床法是美国联合碳化合物公司早年研发的多晶硅制备工艺技术。该方法是以SiCl4、H2、HCl和工业硅为原料，在高温高压流化床内（沸腾床）生成SiHCl3，将SiHCl3再进一步歧化加氢反应生成SiH2Cl2，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。由于在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，故该方法生产效率高、电耗低、成本低。该方法的缺点是安全性较差，危险性较大，且产品的纯度也不高。不过，它还是基本能满足太阳能电池生产的使用。故该方法比较适合大规模生产太阳能级多晶硅。

5，多晶硅的主要产品

多晶硅太阳能充电器是将光能转换成电能的光电转换设备.太阳能充电器的原理是：通过光电转换板将光能转换成电能并储藏在内置的容量为2600mAH的锂电池里，然后再通过控制电路将内置锂电池的电能经过输出接口给手机，数码相机,MP3,MP4等产品充电.在长期无阳光照射的环境下，也可以通过市电（AC100V-240V）给内置的锂电池充电，适用于出差，旅游，长途乘车船，野外作业等环境的备用电源.技术参数太阳能功率: 0.7W（多晶硅）市电输入： AC100V--240V输出电压： DC5V或DC6V（可选）最大输出电流： DC300-500mA内置锂电池： 2600mAH产品重量： 110克产品尺寸： 120X73X10mm产品颜色： 红蓝银黑金5种可选使用说明为内置锂电充电：采用市电（交流100V--240V）给内置锂电池充电时，指示灯显示为绿红，约6-7个小时左右可以充满，指示灯熄灭表示电池已充满.将太阳能充电器放置于阳光下就可以给内部自带的电池充电了.红灯亮表示正在充电，在阳光下约几小时可以充满.因阳光强弱而异.为产品充电的使用方法：内置锂电池充满后，就可以给手机，数码相机，MP3,MP4等数码产品充电了. 用充电连线将太阳能充电器与手机或数码相机MP3,MP4等数码产品连接好就可以充电了.充电时，指示灯显示绿色，表明充电正常.产品包装及附件.中性彩盒包装.内装太阳能充电器1个，电源适配器1条，充电输出线1条，转换头5个.中英文说明书一页.注意事项内部设有保护电路，当出现过载，短路时保护电路动作，输出就没有电压了，解除保护的方法有二： 1，用市电AC100-240V充电数秒；2 在阳光下晒一下.这样就可以恢复输出了.污垢影响1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅反应速度减慢，产量降低，甚至硅反应停止。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。2、水分：水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅的反应十分敏感。设备及系统干燥工艺很关键。3、氯离子残留：水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响十分大。因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。4、氧化物、灰尘其他杂质：其他污垢的存在，对多晶硅的生产影响也很大。因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。
低温多晶硅是多晶硅技术的一个分支，与传统的高温多晶硅相比，低温多晶硅也需要激光照射，但它采用的是准分子激光作为热源，激光经过透射系统后，会产生能量均匀分布的激光束并被投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构的玻璃基板吸收准分子激光的能量后，就会转变成为多晶硅结构。由于整个处理过程是在摄氏500-600度以下完成，所以称作低温多晶硅。

6，生产多晶硅的原料是什么用白碳黑能做为原料么

生产方法不同原料不同。现有的生产方法有以下这些： 1，改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法 改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅（国内生产厂家一般直接购买三氯氢硅原料），然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。 国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。 2，硅烷法——硅烷热分解法 硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。 3，流化床法 以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。 制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。 此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。 4，太阳能级多晶硅新工艺技术 除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。 1）冶金法生产太阳能级多晶硅 据资料报导日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂（SHARP公司）应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。 主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。 2）气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅 据资料报导以日本Tokuyama公司为代表，目前10吨试验线在运行，200吨半商业化规模生产线在2005-2006年间投入试运行。 主要工艺是：将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500℃高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。 3）重掺硅废料提纯法生产太阳能级多晶硅 据美国Crystal Systems资料报导，美国通过对重掺单晶硅生产过程中产生的硅废料提纯后，可以用作太阳能电池生产用的多晶硅，最终成本价可望控制在20美元/Kg以下。
生产方法不同，其原料也不同，主要有化学还原法，原料就是三氯氢硅，用氢气还原，这种方法改良西门子法用的比较多。还有就是物理法提纯，具体的回答也就是上边的仁兄所介绍的内容了。

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