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1，工业上的与门与非门等用什么样的芯片

现在用的是CMOS和TTL系列芯片.CMOS系列,如CD4***,CC4***等.74HC系列.TTL是74LS系列,54LS系列.芯片如,CD4081,CD4011,74LS09,74LS00等.
没有，都是14脚的。只在不行你可以用二极管分立元件搭接一个三输入与非门。如有帮助请采纳，或点击右上角的满意，谢谢！！

工业上的与门与非门等用什么样的芯片

2，私密特和与非门的芯片有几种

型 号 tPLH tPHL PD 5400/7400 11ns 7ns 40mW 54H00/74H00 5.9ns 6.2ns 90mW 54S00/74S00 3ns 3ns 75mW 54LS00/74LS00 9ns 10ns 9mW
支持一下感觉挺不错的

私密特和与非门的芯片有几种

3，为什么都用与非门设计组合逻辑电路

没有这样吧，你是不是你们老师要求的，或者是在学CPLD或者FPGA时书上写的，那是因为方便芯片设计才规定的。与门、或门和非门是逻辑电路和时序电路的基本门电路。所以相对功能都可以采用相应门电路互换实现，但只有一个是最简方式。一个是最优方式，这些在电路设计自动公中会讲，尤其是学VHDL语言时。
第一 与非门在市场上石比较成熟、类型比较多的一种集成芯片；第二 相对于其它门电路来说 与非门的性能比较优良
0000 1的个数为0，即偶数个f=1，为系统输出即为真。 0001 1的个数为1，即奇数个f=0，为系统输出即为假。 。。。。
基本逻辑门共有8种，分别是：与门，或门，非门，与非门，或非门，与或非门，异或门，异或非门。 化简的要求是用最少的基本逻辑门电路达到结果。将复杂的门电路化简成这八门种的任何哪一种，只要是最简式，不必追求是与非门， 例如一个基本异或门电路，你非要用与非门表达，岂不是越弄越复杂！

为什么都用与非门设计组合逻辑电路

4，ttl与非门工作原理与解析

　　TTL非门的电路组成及工作原理，反相器 　　2008-06-12 00:02:58 作者： 来源：互联网 　　浏览次数：0 文字大小：【大】【中】【小】 　　* 反相器 TTL非门的电路组成及工作原理: 典型TTL与非门电路电路组成 输入级——晶体管T1和电阻Rb1构成。 中间级——晶体管T2和电阻Rc2、Re2构成。 输出级——晶体管T3、T4、D和电阻Rc4构成， ... 　　反相器 　　TTL非门的电路组成及工作原理: 　　典型TTL与非门电路电路组成 　　输入级——晶体管T1和电阻Rb1构成。 　　中间级——晶体管T2和电阻Rc2、Re2构成。 　　输出级——晶体管T3、T4、D和电阻Rc4构成，推拉式结构，在正常工作时，T4和T3总是一个截止，另一个饱和。 　　工作原理: 　　当输入Vi=3.6V(高电平) 　　Vb1=3.6+0.7=4.3V 足以使T1(bc结)T2(be结)T3 (be结)同时导通, 一但导通Vb1=0.7+0.7+0.7=2.1V(固定值),此时V1发射结必截止(倒置放大状态)。 　　Vc2=Vces+Vbe2=0.2+0.7=0.9V 不足以T4和D同时导通, 　　T4和D均截止。 　　V0=0.2V (低电平) 　　* 　　o 当输入Vi=0.2V(低电平) 　　Vb1=0.2+0.7=0.9V不 足以使T1(bc结)T2(be结)T3 (be结)同时导通, 　　T2 T3均截止, 同时Vcc---Rc2----T4---D---负载形成通路, 　　T4和D均导通。 　　V0=Vcc-VRc2(可略)-Vbe4-VD=5-0.7-0.7 =3.6(高电平) 　　结论:输入高,输出低;输入低,输出高(非逻辑) 　　TTL反相器各自特点 　　?TTL优势： 　　?1、工作速度快 ?2、带负载能力强 ?3、传输特性好 　　TTL反相器的电压传输特性 　　电压传输特性是指输出电压跟随输入电压变化的关系曲线，即UO=f(uI)函数关系。如图2.3.2所示曲线大致分为四段： 　　AB段(截止区)：当UI≤0.6V时，T1工作在深饱和状态，Uces1＜0.1V，Vbe2＜0.7V，故T2、 T3截止，D、T4均导通， 输出高电平UOH=3.6V。 　　TTL反相器的电压传输特性 BC段(线性区)：当0.6V≤UI＜1.3V时，0.7V≤Vb2＜1.4V， T2开始导通，T3尚未导通。此时T2处于放大状态，其集电极电压Vc2随着UI的增加而下降，使输出电压UO也下降。CD段(转折区)：1.3V≤UI＜1.4V，当UI略大于1.3V时， T2 T3均导通， T3进入饱和状态，输出电压UO迅速下降。 　　DE段(饱和区)：当UI≥1.4V时，随着UI增加 T1进入倒置工作状态，D截止，T4截止，T2、T3饱和，因而输出低电平UOL=0.3V。 　　CMOS反相器 　　1、电路结构及工作原理 　　CMOS反相器电路如图2.7-1(a) (b)所示它由两个增强型MOS场效应管组成，其中V1为NMOS管，称驱动管，V2为PMOS管，称负载管。 NMOS管的栅源开启电压UTN为正值，PMOS管的栅源开启电压是负值，其数值范围在2~5V之间。为了使电路能正常工作，要求电源电压UDD＞ (UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之间工作，其适用范围较宽。 　　工作原理: 　　(1)当UI=UIL=0V时，UGS1=0，因此V1管截止，而此时|UGS2|＞|UTP|，所以V2导通，且导通内阻很低，所以UO=UOH≈UDD， 即输出为高电平. 　　(2)当UI=UIH=UDD时，UGS1=UDD＞UTN，V1导通，而UGS2=0＜|UTP|，因此V2截止。此时UO=UOL≈0，即输出为低电平。 可见，CMOS反相器实现了逻辑非的功能. 　　CMOS反相器的主要特性 　　CMOS反相器的电压传输特性如图2.7-2所示。 　　CMOS 反相器的电流传输特性2.7-3图 2.7-2 CMOS反相器的电压传输特性 　　在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。 在CD段V2截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流也几乎为0。只有在BC段，V1和V2均导通时才有电流iD流过V1和V2，并且在UI=1/2UDD附近，iD最大。

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