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1,什么是载流子热效应

Keithley4200-SCS型热载流子效应测 量系统允许在晶片生产完毕后,进行精确的热载流子衰变测试。它将快速、低噪声测量仪表同灵活、方便的分析工具快速简易地结 合起来。当该系统与适当的探针台配对使用时,可以使用同样的电压应力条件与测试温度(一般是室温或低于室温的条件)用于测 试晶体管器件。
你好!载流子热效应即电子热效应或空穴热效应仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢。

什么是载流子热效应

2,请教 如何解释玻璃被电击穿的机理

一、电击穿。固体介质在强电场的作用下,内部少量可自由移动的载流子剧烈运动,与晶格上的原子发生碰撞使之游离,并迅速扩展而导致击穿。特点是:电压作用时间短,击穿电压高,与电场均匀度密切相关,但与环境温度及电压作用时间几乎无关。二、热击穿。电介质在电场作用下,由于漏电流、电损耗或孔隙局部气体电离放电产生放热,材料温度逐步升高,随着时间延续,积热增多,当达到一定温度时,材料即行开裂、玻璃化或熔化,绝缘性能被破坏而导致击穿的现象。这是介质材料常见的破坏原因之一。热击穿与介质的导致系数、强度、内部缺陷、掺杂物(杂质)、气孔、形状及散热条件等多种因素有关。 固体电介质的击穿有电击穿、热击穿、电化学击穿、放电击穿等形式。绝缘结构发生击穿,往往是电、热、放电、电化学等多种形式同时存在,很难截然分开。一般来说,在采用tanδ值大、耐热性差的电介质的低压电气设备,在工作温度高、散热条件差时,热击穿较为多见。而在高压电气设备中,放电击穿的概率就大些。脉冲电压下的击穿一般属于电击穿。当电压作用时间达数十小时乃至数年时,大多数属于电化学击穿。

请教 如何解释玻璃被电击穿的机理

3,物理学研究生

我是今年刚刚考入湖南大学物理学专业的研究生,我是调剂过去的,刚刚跟导师了解的情况是微电子比较好,其实只要知识学的扎实,哪个方向都是可以的。其实现在的理科都偏向于工科的方向了,为的就是实际应用。希望我的回答对你有所帮助
1、物理学类的研究生有工科方向吗? 工程物理、热物理、力学 2、固体物理与微电子专业可能会考数电模电,半导体物理这些课,这个具体你要问你想报考的学校; 《半导体物理学》(科目代码450)考试大纲 1. 考研建议参考书目 刘恩科等著《半导体物理学》,国防工业出版社; 或西安交通大学出版社 isbn 7-5605-1010-8/tn.54。 2. 基本要求 (1) 掌握半导体中的电子状态和能带;本征半导体中的导电机构和空穴;半导体中电子的运动和有效质量;硅和锗的能带结构和ⅲ-ⅴ族化合物半导体的能带结构。 (2) 掌握半导体中杂质和缺陷能级;重点掌握硅、锗晶体中的杂质能级和ⅲ-ⅴ族化合物中的杂质能级。 (3) 掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论;并掌握本征半导体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。 (4) 掌握半导体的导电性理论;载流子的散射;迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的关系;强电场下的热载流子效应和耿氏效应。 (5) 掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命;准费米能级;复合理论。并掌握载流子的扩散运动;漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。 (6) 掌握p-n结及其能带图,p-n结电流电压特性,p-n结电容和p-n结击穿与隧道效应的基础知识。 (7) 掌握金属与半导体的接触及其能带图;金属半导体接触整流理论基础知识。 (8) 掌握半导体表面和表面电场效应;mis结构的电容-电压特性,硅-二氧化硅系统的性质。 (9) 掌握异质结及其能带图,异质结的电流输运机构基础知识。

物理学研究生

4,物理学研究生怎么样

物理学考研研究方向很多,举例:理论物理 主要研究方向 1、高温超导体机理、BEC理论及自旋电子学相关理论研究。2、凝聚态理论;3、原子分子物理、量子光学和量子信息理论;4、统计物理和数学物理。5、凝聚态物理理论、计算材料、纳米物理理论6、自旋电子学,Kondo效应。7、凝聚态理论、第一原理计算、材料物性的大规模量子模拟。8、玻色-爱因斯坦凝聚, 分子磁体, 表面物理,量子混沌。 物理学考研还是不错的,在实际的生活应用中很广泛,接触面也广。希望帮到你
1、物理学类的研究生有工科方向吗? 工程物理、热物理、力学 2、固体物理与微电子专业可能会考数电模电,半导体物理这些课,这个具体你要问你想报考的学校; 《半导体物理学》(科目代码450)考试大纲 1. 考研建议参考书目 刘恩科等著《半导体物理学》,国防工业出版社; 或西安交通大学出版社 isbn 7-5605-1010-8/tn.54。 2. 基本要求 (1) 掌握半导体中的电子状态和能带;本征半导体中的导电机构和空穴;半导体中电子的运动和有效质量;硅和锗的能带结构和ⅲ-ⅴ族化合物半导体的能带结构。 (2) 掌握半导体中杂质和缺陷能级;重点掌握硅、锗晶体中的杂质能级和ⅲ-ⅴ族化合物中的杂质能级。 (3) 掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论;并掌握本征半导体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。 (4) 掌握半导体的导电性理论;载流子的散射;迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的关系;强电场下的热载流子效应和耿氏效应。 (5) 掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命;准费米能级;复合理论。并掌握载流子的扩散运动;漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。 (6) 掌握p-n结及其能带图,p-n结电流电压特性,p-n结电容和p-n结击穿与隧道效应的基础知识。 (7) 掌握金属与半导体的接触及其能带图;金属半导体接触整流理论基础知识。 (8) 掌握半导体表面和表面电场效应;mis结构的电容-电压特性,硅-二氧化硅系统的性质。 (9) 掌握异质结及其能带图,异质结的电流输运机构基础知识。

5,物理学研究生有那些方向

物理学太博大了。物理学的研究生可以大致分成以下几个大类:力学(例如工程力学等)光学(光学材料与器件、物理光学、激光器件等)电磁学(电子学、无线电电子学、电磁场与微波技术等)材料学(有偏性能研究和生产制造等不同的方向)凝聚态物理学表面物理等离子体物理热学(热能工程、传热学、统计力学等)机械学(流体传动与控制(有的学校还细分为气体和液体两类))宏观物理(天体物理、相对论)地球物理声学(声音处理(偏电子)、声学工程、还有偏艺术方向的录音技术或录音艺术专业)物理学史物理学的大部分专业,都与应用密切相关。
1、物理学类的研究生有工科方向吗? 工程物理、热物理、力学 2、固体物理与微电子专业可能会考数电模电,半导体物理这些课,这个具体你要问你想报考的学校; 《半导体物理学》(科目代码450)考试大纲 1. 考研建议参考书目 刘恩科等著《半导体物理学》,国防工业出版社; 或西安交通大学出版社 isbn 7-5605-1010-8/tn.54。 2. 基本要求 (1) 掌握半导体中的电子状态和能带;本征半导体中的导电机构和空穴;半导体中电子的运动和有效质量;硅和锗的能带结构和ⅲ-ⅴ族化合物半导体的能带结构。 (2) 掌握半导体中杂质和缺陷能级;重点掌握硅、锗晶体中的杂质能级和ⅲ-ⅴ族化合物中的杂质能级。 (3) 掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论;并掌握本征半导体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。 (4) 掌握半导体的导电性理论;载流子的散射;迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的关系;强电场下的热载流子效应和耿氏效应。 (5) 掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命;准费米能级;复合理论。并掌握载流子的扩散运动;漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。 (6) 掌握p-n结及其能带图,p-n结电流电压特性,p-n结电容和p-n结击穿与隧道效应的基础知识。 (7) 掌握金属与半导体的接触及其能带图;金属半导体接触整流理论基础知识。 (8) 掌握半导体表面和表面电场效应;mis结构的电容-电压特性,硅-二氧化硅系统的性质。 (9) 掌握异质结及其能带图,异质结的电流输运机构基础知识。

6,什么是光致发光

用光激发发光体引起的发光现象。它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段。光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁,都经过激发态。而能量传递则是由于激发态的运动。  激发态的分布按能量的高低可以分为三个区域。低于禁带宽度的激发态主要是分立中心的激发态。关于这些激发态能谱项及其性质的研究,涉及到杂质中心与点阵的相互作用,可利用晶体场理论进行分析。随着这一相互作用的加强,吸收及发射谱带都由窄变宽,温度效应也由弱变强,特别是猝灭现象变强,使一部分激发能变为点阵振动。在相互作用较强的情况下,激发态或基态都只能表示中心及点阵作为一个统一系统的状态。通常用位形坐标曲线表示。电子跃迁一般都在曲线的极小值附近发生。但是,近年关于过热发光的研究,证明发光也可以从比较高的振动能级起始,这在分时光谱中可得到直观的图像,反映出参与跃迁的声子结构。  接近禁带宽度的激发态是比较丰富的,包括自由激子、束缚激子及施主-受主对等。当激发密度很高时,还可出现激子分子,而在间接带隙半导体内甚至观察到电子-空穴液滴。 激子又可以和能量相近的光子耦合在一起,形成电磁激子(excitonic polariton)。束缚激子的发光是常见的现象,它在束缚能上的微小差异常被用来反映束缚中心的特征。在有机分子晶体中,最低的电子激发态是三重激子态,而单态激子的能量几乎是三重态激子能量的两倍。分子晶体中的分子由于近邻同类分子的存在,会出现两种效应:“红移”(约几百cm)及“达维多夫劈裂”。这两种效应对单态的影响都大于对三重态的影响。  能量更高的激发态是导带中的电子,包括热载流子所处的状态。后者是在能量较高的光学激发下。载流子被激发到高出在导带(或价带)中热平衡态的情况,通常可用电子(或空穴)温度(不同于点阵温度)描述它们的分布。实验证明,热载流子不需要和点阵充分交换能量直至达到和点阵处于热平衡的状态即可复合发光,尽管它的复合截面较后者小。热载流子也可在导带(或价带)内部向低能跃迁。这类发光可以反映能带结构及有关性质。  激发态的运动是发光中的重要过程,能量传递是它的一个重要途径。分子之间的能量传递几率很大,处于激发态的分子被看作是激子态。无机材料中的能量传递也非常重要,在技术上已得到应用。无辐射跃迁是激发态弛豫中的另一重要途径。对发光效率有决定性的影响。  光致发光最普遍的应用为日光灯。它是灯管内气体放电产生的紫外线激发管壁上的发光粉而发出可见光的。其效率约为白炽灯的5倍。此外,“黑光灯”及其他单色灯的光致发光广泛地用于印刷、复制、医疗、植物生长、诱虫及装饰等技术中。上转换材料则可将红外光转换为可见光,可用于探测红外线,例如红外激光的光场等。  光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、灵敏度高的分析方法。激光的应用更使这类分析方法深入到微区、选择激发及瞬态过程的领域,使它又进一步成为重要的研究手段,应用到物理学、材料科学、化学及分子生物学等领域,逐步出现新的边缘学科。
用光激发发光体引起的发光现象。它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段。光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁,都经过激发态。而能量传递则是由于激发态的运动。激发态的分布按能量的高低可以分为三个区域。低于禁带宽度的激发态主要是分立中心的激发态。关于这些激发态能谱项及其性质的研究,涉及到杂质中心与点阵的相互作用,可利用晶体场理论进行分析。随着这一相互作用的加强,吸收及发射谱带都由窄变宽,温度效应也由弱变强,特别是猝灭现象变强,使一部分激发能变为点阵振动。在相互作用较强的情况下,激发态或基态都只能表示中心及点阵作为一个统一系统的状态。通常用位形坐标曲线表示。电子跃迁一般都在曲线的极小值附近发生。但是,近年关于过热发光的研究,证明发光也可以从比较高的振动能级起始,这在分时光谱中可得到直观的图像,反映出参与跃迁的声子结构。接近禁带宽度的激发态是比较丰富的,包括自由激子、束缚激子及施主-受主对等。当激发密度很高时,还可出现激子分子,而在间接带隙半导体内甚至观察到电子-空穴液滴。 激子又可以和能量相近的光子耦合在一起,形成电磁激子(excitonic polariton)。束缚激子的发光是常见的现象,它在束缚能上的微小差异常被用来反映束缚中心的特征。在有机分子晶体中,最低的电子激发态是三重激子态,而单态激子的能量几乎是三重态激子能量的两倍。分子晶体中的分子由于近邻同类分子的存在,会出现两种效应:“红移”(约几百cm)及“达维多夫劈裂”。这两种效应对单态的影响都大于对三重态的影响。能量更高的激发态是导带中的电子,包括热载流子所处的状态。后者是在能量较高的光学激发下。载流子被激发到高出在导带(或价带)中热平衡态的情况,通常可用电子(或空穴)温度(不同于点阵温度)描述它们的分布。实验证明,热载流子不需要和点阵充分交换能量直至达到和点阵处于热平衡的状态即可复合发光,尽管它的复合截面较后者小。热载流子也可在导带(或价带)内部向低能跃迁。这类发光可以反映能带结构及有关性质。激发态的运动是发光中的重要过程,能量传递是它的一个重要途径。分子之间的能量传递几率很大,处于激发态的分子被看作是激子态。无机材料中的能量传递也非常重要,在技术上已得到应用。无辐射跃迁是激发态弛豫中的另一重要途径。对发光效率有决定性的影响。光致发光最普遍的应用为日光灯。它是灯管内气体放电产生的紫外线激发管壁上的发光粉而发出可见光的。其效率约为白炽灯的5倍。此外,“黑光灯”及其他单色灯的光致发光广泛地用于印刷、复制、医疗、植物生长、诱虫及装饰等技术中。上转换材料则可将红外光转换为可见光,可用于探测红外线,例如红外激光的光场等。

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