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1，什么是砷化镓

砷化镓是GaAs

什么是砷化镓

2，砷化镓是一种什么东西可以给我具体介绍一下吗谢谢

GaAs是一种半导体原材料，用于电子原器件的制造。由于性能良好用途非常广泛，目前的弱电器件都采用这一材料。
没看懂什么意思？

砷化镓是一种什么东西可以给我具体介绍一下吗谢谢

3，砷化镓的主要特性

规 格 砷化镓 传输范围(微米) 1.0-22 折射指数 10微米 3.277 折射指数的温度系数 10.6微米， 149 x 10/度 体积吸收系数 10微米/厘米 <0.01 熔点,摄氏度 1238 硬度(努普)千克/平方毫米 750 密度,克/立方厘米 5.37 断裂模数,兆帕 13.8 杨式弹性模数,千兆帕 8.3 断裂韧度 兆帕/米 0.31
我不会~~~但还是要微笑~~~：）

砷化镓的主要特性

4，什么是砷化镓

GaAs。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，性能比硅更优良。它的禁带宽度大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，能带结构特殊，具有双能谷导带，可以制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等，广泛用于雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等尖端技术中。
砷化镓（gallium arsenide），化学式 gaas。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属ⅲ－ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。中益兴业砷化镓薄膜太阳能电池即是一种高效的太阳能转电能的新型量产技术。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

5，砷化镓属于哪类化合物

GaAs是原子晶体，共价化合物。其晶体结2113构是闪锌矿结构，它由面心立5261方晶格套构而成。每个Ga原子与它周围四个As原子间靠共价键结合。但是4102砷化镓中的Ga-As原子间的键合，不是纯粹的共1653价键，由于Ga、As的负电性差异产生极性，称为极性键内，具有离子键的特征，因此砷化镓中离子键成分大约37%。容
是的，是晶态化合物半导体，由共价键形成，是原子晶体，类比氯化铝化学式 gaas。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。 一种重要的半导体材料。属ⅲ－ⅴ族化合物半导体。化学式gaas，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。氯化铝（熔融状态实际以al2cl6分子形式存在，不能导电；简写作alcl3（三氯化铝））是共价化合物。结构为是每一个铝原子分别和三个氯原子形成铝氯单键，两个铝原子之间没有单键连接。因为alcl3为缺电子分子，al倾向于接受电子形成sp3杂化轨道，两个alcl3分子间发生cl->al的电子对授予而配位,形成al2cl6分子.配位键是一种特殊的共价键，所以三氯化铝是共价化合物。不过严格点说应该是形成了氯桥键。两个alcl3分子靠氯桥键（三中心两电子键）结合起来形成al2cl6分子，这种氯桥键与b2h6的氢桥键结构相似。从价键理论的观点（价键理论要求两个原子之间通过各自提供一个满足要求的原子轨道的重叠来形成共价键）看，氯桥键仍然属于共价键范畴。所以al2cl6是共价化合物。其实，学化学不一定非得刨根问底才学得好，有时候，基础性的东西只须记
化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点复 1238℃。它在600℃以下，能制在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸2113侵蚀。跟SiC是等电子5261体，也就是结构性质相似！SiC是原子晶4102体，GaAs也是原子晶体！也可1653以从他的熔点1238进行判断！

6，能不能给一下这个材料具体一点的信息

砷化镓（英文名称为Gallium arsenide，化学式为GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物。也是很重要的半导体材料，被用来制作像微波集成电路（例如单晶微波集成电路 MMIC）、红外线发光二极管、雷射二极管和太阳电池等元件。砷化镓的优点GaAs拥有一些比Si还要好的电子特性，如高的饱和电子速率及高的电子移动率，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会拥有较少的噪声。也因为GaAs有较高的崩溃电压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成Gunn diode (中文翻做甘恩二极管或微波二极管) 以发射微波。GaAs的的另一个优点：它是直接能隙的材料，所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料，只能发射非常微弱的光。(但是，最近的技术已经可以用Si做成LED和运用在雷射。)因为GaAs的切换速度很快，所以GaAs被认为是电脑应用的理想材料。1980年代时，大家都认为微电子市场的主力将从Si换成GaAs。首先试着要去改变的有超级电脑的供应商Cray电脑公司、Convex电脑公司，Alliant电脑系统公司，这些公司都试着要抢下CMOS微处理器技术的领导地位。Cray公司最后终于在1990年代早期建造了一台GaAs为基础的机器，叫Cray-3。但这项成就还没有被充分地运用，公司就在1995年破产了。硅的优点Si比GaAs好，有三个主要理由。第一，Si制程是大量生产且便宜的制程。且Si有较好的物理应力，所以可做成大尺寸的晶圆（现今，Si晶圆直径约为300 mm，而GaAs晶圆最大直径约只有150 mm）。在地球表面上有大量Si的原料：硅酸盐矿。硅工业已发展到规模经济（透过高的产能以降低单位产品的成本）的情形了，更降低了工业界使用GaAs的意愿。第二个主要的优点是，Si很容易就会变成二氧化硅（在电子元件中，这是一种很好的绝缘体）。二氧化硅可以轻易地被整合到Si电路中，且二氧化硅和Si拥有很好的界面特性。反观，GaAs不能产生一层稳定且附着在GaAs上的绝缘层。第三，大概也是最重要的Si的优点，是Si拥有高很多的电洞移动率。在需要CMOS逻辑时，高的电洞率可以做成高速的P-通道场效应晶体管。如果需要快速的CMOS结构时，虽然GaAs的电子移动率快，但因为它的功率消耗高，所以使的GaAs电路无法被整合到Si逻辑电路中。砷化镓的异质结构因为GaAs和AlAs的晶格常数几乎是一样的，所以可以利用分子束磊晶（molecular beam epitaxy, MBE）或有机金属气相磊晶 （metal-organic vapour phase epitaxy，MOVPE，也称做有机金属化学气相沉积法），在GaAs上轻易地形成异质的结构，如成长砷化铝（AlAs）或砷化铝镓（AlxGa1-xAs）合金。且因为成长出来的层应力很小，所以几乎可以成长任意的厚度。GaAs的另一个很重要的应用是高效率的太阳电池。1970年时，Zhores Alferov和他的团队在苏联做出第一个GaAs异质结构的太阳电池。 用GaAs、Ge和InGaP三种材料做成的三接面太阳电池，有32%以上的效率，且可以操作在2,000 suns下的光。这种太阳电池曾运用在探测火星表面的机器人：精神号漫游者 (spirit rover) 和机会号漫游者 (opportunity rover)。而且很多太阳电池都是用GaAs来做电池阵列的。利用Bridgeman技术可以制造出GaAs的单晶，因为GaAs的力学特性，所以用Czochralski法是很难运用在GaAs材料的。但，曾经有人有Czochralski法做出超高纯度的GaAs当做半绝缘体。安全GaAs的毒性至今仍没有被很完整的研究。因为它含有As，经研究指出，As是有毒的，As也是一种致癌物质。但，因为GaAs的晶体很稳定，所以如果身体吸收了少量的GaAs，其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程（磨GaAs晶圆使表面微粒变小）时，表面的区域会和水起反应，释放或分解出少许的As。就环境、健康和安全等方面来看GaAs（就像是三甲基镓 trimethylgallium和As）时，及有机金属前驱物的工业卫生监控研究，都最近指出以上的观点。
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