势垒，势垒与能垒有什么区别

本文目录一览

1，势垒与能垒有什么区别
2，势垒是什么
3，金属与半导体之间的接触势垒是什么
4，半导体中势垒有什么用
5，势井势垒是什么意思
6，什么是势垒电容和扩散电容解释的易懂一些谢谢

1，势垒与能垒有什么区别

势垒势阱能垒都是势场不过是根据势场“形状”的不同的形象称法。

没有区别

有区别？

势垒与能垒有什么区别

2，势垒是什么

一般在谈到半导体的PN结时，就会联系到势垒，这涉及半导体的基础内容。简单地说，所谓势垒也称位垒，就是在PN结由于电子、空穴的扩散所形成的阻挡层，两侧的电位差，就称为势垒。

势垒就是势能比附近的势能都高的空间区域，基本上就是极值点附近的一小片区域。

势垒是什么

3，金属与半导体之间的接触势垒是什么

金属与半导体之间的接触势垒是"肖特基势垒"。它与其他半导体之间的接触一样，形成PN结、空间电荷区（耗尽层）和接触势垒；它与其他半导体之间的接触不一样之处是：它的空间电荷区（耗尽层）在金属的一侧特别薄。接触势垒也叫接触电势差，它阻止接触双方的多子，继续向对方扩散。只有加上正向电压时，这种“扩散”才可以继续进行，产生电流。

金属与半导体之间的接触势垒是什么

4，半导体中势垒有什么用

一方面，不同介质（半导体、金属之类）的禁带宽度不同，费米能级的位置也不同；另一方面即使相同的半导体由于掺杂的差异，其费米能级所处的位置也不一样。一般情况，结的形成会导致两个不同介质的费米能级处于同一水平，费米能级位置不同却最后处于同一水平，那么两个介质的价带和导带必然不处于同一能级，这个能级的差距就是势垒。所以你的理解在通常情况下还算准确。势垒就是个能量差，越大就需要粒子获取或释放更大的能量，比如可以让载流子更易通过，也可能不易通过，也可能向隧穿器件一样故意搞高势垒从而引发隧穿效应，这个你要细了解真得看看书，太多了。上面说的也只是通常的情况，还有很多特殊的器件不能这么简单解释，而且电场也会影响能级和势垒。

功函数的差别是基本因素。不同材料（甚至液体-固体，液体-液体）之间的接触势垒都可以根据其功函数差来确定。半导体的功函数是fermi能级与真空自由电子能级的差，同一种半导体的p型材料与n型材料接触时，因为n型半导体的功函数小于p型半导体，所以电子将向p型一边转移....形成pn结势垒。对于同一种材料（譬如n型si和p型si），也可以由载流子浓度的差别来考虑，但是最基本的还是功函数差。但是，对于不同种类半导体的接触，不管它们之间的载流子浓度差别有多大，也必须由功函数差来确定其势垒；这时就有可能电子从浓度低的一边转移到浓度高的一边。

5，势井势垒是什么意思

假设空间中的势能处处给定了，你可以把势阱或势垒理解成特定的空间区域，势阱就是该空间区域的势能比附近的势能都低，势垒就是该空间区域的势能比附近的势能都高。基本上就是极值点附件的一小片区域。比如在重力势场中，如果你一个山谷里，你就在势阱里，如果你在山顶上，你就在势垒上。通常在势阱中的物体（粒子），没有足够的动能想要离开势阱的概率是比较小的。在制备爱因斯坦-玻色凝聚体过程中，一种方法的一个过程是利用磁场和激光构造磁光（势）阱，限制粒子的运动。

街头小混混

曾谨严量子力学(卷一)3.3节一维散射具体方法计算方法书上都有

势井,简单的说就是电子的势能图像类似一个波的形状，那么当电子处于波谷，就好像处在一口井里，比较稳定，很难跑出来。所以称为势井或势阱。不单单是量子力学里有这个势井，任何形式的势只要具有这种样子，我们都可以称它有势井/势阱，比如重力势井。量子力学与经典物理的在这里有一个小小的差别，就是量子力学里，电子具有某些概率穿过势井跑出来，称之为隧道效应。隧道电子显微镜就是利用这个原理。

相当于你掉进一个陷阱里,只能用跳的,只要你有足够的力量就能出来;只要少点点,你就别想出来--经典力学的.如果是量子力学,如果你不够力,你还可以想办法出来,可能性比较小.势垒要求的是能量

6，什么是势垒电容和扩散电容解释的易懂一些谢谢

势垒电容：在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。扩散电容：是p-n结在正偏时所表现出的一种微分电容效应。PN结交界处存在势垒区，结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。势垒电容是p-n结所具有的一种电容，即是p-n结空间电荷区（势垒区）的电容；由于势垒区中存在较强的电场，其中的载流子基本上都被驱赶出去了——耗尽，则势垒区可近似为耗尽层，故势垒电容往往也称为耗尽层电容。扩展资料：应用：在集成电路中，一般利用PN结的势垒电容，即让PN结反偏，只是改变电压的大小，而不改变极性。根据普通二极管内部PN结结电容能随外加反向电压的变化而变化制成变容二极管。变容二级管用途：用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管，在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电流上，实现低频率信号调制到高频信号上，并发射出去。参考资料来源：百度百科——势垒电容参考资料来源：百度百科——扩散电容

势垒电容，是耗尽层宽窄变化所等效的电容，是二极管的两极间的等效电容组成部分之一，具有非线性，其相应于多数载流子电荷变化的一种电容效应。在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。势垒电容具有非线性，它与结面积、耗尽层宽度、半导体的介电常数及外加电压有关。势垒电容是二极管的两极间的等效电容组成部分之一，另一部分是扩散电容。二极管的电容效应在交流信号作用下才会表现出来。势垒电容在正偏和反偏时均不能忽略。而反向偏置时，由于少数载流子数目很少，可忽略扩散电容。扩散电容（Diffusion capacitance）是p-n结在正偏时所表现出的一种微分电容效应。pn结扩散电容是来自于非平衡少数载流子（简称非平衡少子）在pn结两边的中性区内的电荷存储所造成的电容效应（因为在中性扩散区内存储有等量的非平衡电子和非平衡空穴的电荷，它们的数量受到结电压控制）。这种由于注入载流子存储电荷随着电压变化所产生的扩散电容将随正向电压而按指数式增大；扩散电容也与直流偏压有关（也是一种非线性电容），也将随着直流偏压的增大而指数式增大，故扩散电容在正向偏压下比较大。[2] 另外，由于pn结扩散电容与少数载流子的积累有关，而少数载流子的产生与复合都需要一个时间（称为寿命τ）过程，所以扩散电容在高频下基本上不起作用。这就是说，扩散电容还与外加结电压的信号频率ω有关，并从而常常用乘积(ωτ)的大小来划分器件工作频率的高低：在低频(ωτ<<1, ωτ<<1)、即[外加信号的变化周期]>>[存储电荷再分布的时间]时，少数载流子存储电荷的变化跟得上外加信号的变化, 则扩散电容较大；在高频 (ωτ >>1, ωτ>>1)、即存储电荷跟不上外加信号的变化时, 扩散电容很小（随着(ωτ)1/2下降)，故扩散电容在低频下很重要。因为pn结的开关速度主要决定于在两边中性区内存储的少数载流子，所以，从本质上来说，也就是扩散电容对开关速度的影响。总之，pn结的扩散电容与其势垒电容不同。前者是少数载流子引起的电容，对于pn结的开关速度有很大影响，在正偏下起很大作用、在反偏下可以忽略，在低频时很重要、在高频时可以忽略；后者是多数载流子引起的电容，在反偏和正偏时都起作用，并且在低频和高频下都很重要。

势垒电容：势垒区荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 PN结势垒电容主要研究的是多子，是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子，外加正向电压时，以扩散电容为主，外加反向电压时，以势垒电容为主。

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