tlc和qlc，新技术QLC来了固态硬盘寿命有多长
来源：整理 编辑：智能门户 2023-08-18 22:02:47
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1，新技术QLC来了固态硬盘寿命有多长
QLC就是四分之一MLC，二分之一TLC。是比TLC寿命更短的。用5年差不多吧。一般人应该都能用到这个时间。一 般都按时长算，最新 出的固态硬盘并且是知名品牌可以到2万小时
2，QLC闪存固态硬盘SSD需要害怕吗
QLC就太寿命短了。至少TLC吧。但如果你能严格限制自己不多写入，那也行。不过不合算。用的狠的话恐怕几个月就要换新的了，用的少一年左右也得准备换新的。注意：配QLC固态的电脑每个月最少开机一次，否则固态里的数据很可能丢失，如果已使用一年或以上，那么建议每周最少开机一次，否则固态数据会全部丢失。再看看别人怎么说的。
3，台式机电脑配置如图两个硬盘哪个好为什么TLC比MLC的速度还快
你这只能说算是个别情况，测试又说不准，商家骗你也不一定，总体来说还是SLC>MLC>TLC>QLC固态硬盘颗粒分为SLC、MLC、TLC和QLC四种：SLC性能最好，寿命最长，成本也最高，土豪专属；MLC性能、寿命、成本比较均衡，主打中端市场；TLC成本低，容量大，寿命有所减少，是目前主流的消费级固态硬盘，但价格还是比较贵的；QLC则成本更低，容量更大，但寿命更短，之前也因为寿命问题，不被业内看好。价格相差不大，当然是MLC好一点咯，前提是真的MLC。另外说一句，东芝是首个发布QLC固态硬盘的厂商，这款固态硬盘的寿命问题也是值得商榷的。还有另外两种因素1、开启AHCI（Serial ATA Advanced Host Controller Interface）串行ATA高级主控接口/高级主机控制器接口）2、格式化的时候4K对其缺一不可！我选择三星，三星的颗粒比较稳定，一分钱一分货。再看看别人怎么说的。
4，Flash芯片总述及SLCMLCTLC和QLC的区别
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。其在企业级SSD上比较常见，例如经典的Intel X25-E系列，此外在一些高端的U盘上也有使用。slc、mlc和tlc x3（3-bit-per-cell）架构的tlc芯片技术是mlc和tlc技术的延伸，最早期nand flash技术架构是slc（single-level cell），原理是在1个存储器储存单元（cell）中存放1位元（bit）的资料，直到mlc（multi-level cell）技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 2009年tlc架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。 如同上一波slc技术转mlc技术趋势般，这次也是由nand flash大厂东芝（toshiba）引发战火，之后三星电子（samsung electronics）也赶紧加入战局，使得整个tlc技术大量被量产且应用在终端产品上。 tlc芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的nand flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microsd或随身碟等。
5，现在QLCTLC的SSD应该怎么选西部数据新出的SN500好不好
就目前来说QLC还不完全成熟，他的优势是大容量和成本较低，但在寿命和性能上与TLC的SSD有比较大的差距。但就目前来说QLC的SSD也并没有比TLC的便宜很多，所以相较而言TLC的SSD更值得选购。西部数据的SN500是性价比比较高的TLC NVMe SSD，读写性能可以达到1700mb/S与1400mb/s，SLC缓存外性能也有750mb/s，综合价格和性能还是不错的。QLC不必考虑，目前还不成熟，性价比太低。选SN500还不如直接买东芝RC100，同样是PCIe 3.0x2接口，东芝的集成度更高，主控和闪存封装为一个颗粒。1. QLC与TLC，优先TLC2. 看型号，TLC有不同级别，不同主控方案，不同缓存方案3. SN500性价比很高盘家用没有问题QLC盘，以缓存大小与缓存性能决定如何，目前大部分QLC作为家用盘可以，遇到大数据流，比如：视频后期4K 60帧高码率素材就很容易爆缓存。1. QLC与TLC，优先TLC2. 看型号，TLC有不同级别，不同主控方案，不同缓存方案3. SN500性价比很高盘家用没有问题QLC盘，以缓存大小与缓存性能决定如何，目前大部分QLC作为家用盘可以，遇到大数据流，比如：视频后期4K 60帧高码率素材就很容易爆缓存。*不少硬盘不同容量，它的缓存也可能是不同的，模拟SLC容量也可能是不同，一般QLC推荐1T，2T的大容量，当仓库盘。
6，QLC要来了固态硬盘将如何发展
QLC = Quad-Level Cell架构，即4bit/cell，支持16充电值，速度最慢寿命最短，目前中技术上在研发阶段，但是intel、三星电子等厂商都已经取得了不错的进展。但在SSD应用中目前仍不现实 。需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。下面是SLC、MLC、TLC、QLC闪存芯片的区别：SLC = Single-Level Cell，即1bit/cell，利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。速度快，寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格）。MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约5000-10000次擦写寿命。速度一般，寿命一般，价格一般。TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命。也有Flash厂家叫8LC，速度慢，寿命短，价格便宜。QLC = Quad-Level Cell，即4bit/cell。相对于SLC来说，MLC的容量大了100%，寿命缩短为SLC的1/10。相对于MLC来说，TLC的容量大了50%，寿命缩短为MLC的1/20。东芝是NAND闪存的发明人，还是最早开发3D NAND闪存的，同时也是闪存芯片公司中第一个讨论QLC闪存的。东芝的QLC闪存规格西数的是一样——准确来说是西数的QLC闪存跟东芝一样的，使用的都是东芝的BiCS 4技术，96层堆栈，这次的QLC闪存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特尔公布的1Tb核心大了33%。基于1.33Tb核心的QLC闪存，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2.66TB，现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量，是之前的5倍多。西数目前已经出样，今年量产，首发于闪迪SSD硬盘中，但东芝比西数慢一些，今年9月份才开始出样给SSD硬盘及主控厂商，用于评估及开发，2019年才开始批量生产。
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