RCD吸收电路，反激式开关电源rcd吸收电路怎么选
来源：整理 编辑：智能门户 2023-09-01 03:09:57
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1，反激式开关电源rcd吸收电路怎么选
2，开关电源中的RCD峰值吸收回路的工作原理是怎样的
若开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所嵌位，约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。
3，开关电源中RCD吸收电路除了限制MOS管最大反锋之外还具有
吸收电路主要是吸收波峰，是动作波形平滑，减少干扰，避免误动作。对！刚学开关电源就这么厉害，以后肯定好的不得了----乐嘉
4，开关电源 RCD吸收回路 怎么用时间常数求它的容量和阻值
首先说明下RCD吸收电路和RCD钳位电路形式一样但是参数相差很大。RCD吸收的时间常数基于占空比和开关频率（即每个周期的关断时间）。RCD要求在开通前电容电压复位。公式不太好编辑理解了自己推一下。
5，开关MOS管旁边并联的RCD吸收回路的吸收原理是什么
作为一般开关时，K1358关断瞬间，UDS升高，通过C5,VD4,R4回路，对 C5充电，降低电压应力（吸收关断瞬间的能量），增加电压上升时间；K1358导通后，C5通过R4和K1358放电，使电压降低至0V。作为PWM控制时，关断时间与导通时间均很短，RC参数应等同或接近于开关周期，此时C5电压值接近常量，通过VD4对UDS进行钳位。火线和地面的电压是220v，而零线和大地的电压是0.接在火线上，等你关上开关后，开关后的线和地面的电压是零。是安全的。但是如果把开关接驳在零线上，虽然断后形成不了通路，但是如果不小心接触到火线，火线和地面电压是220v，依然是危险电压，等于没接开关。所以一定要吧开关或者保险接在火线而不是零线上。险丝和开关都是串联接到火线上,不可能是并联的.因为,如果是并联的话,即使保险丝烧了,电路仍是通的.电流仍会从开关上流过,保险丝就起不到保险的作用了.
6，RCD吸收电路的RCD吸收电路的设计
一﹑首先对mos管的VD进行分段：Ⅰ，输入的直流电压VDC；Ⅱ，次级反射初级的VOR；Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；Ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：Ⅰ，输入的直流电压VDC。在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。VDC=VAC *√2Ⅱ，次级反射初级的VOR。VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．VOR=(VF +Vo)*Np/NsⅢ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．VDS=VD* 10%Ⅳ，RCD吸收VRCD．MOS管的VD减去Ⅰ，Ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的Ⅴ，RC时间常数τ确定．τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。三﹑试验调整VRCD值首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。 如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一 点上，测试点接到RC另一点上）一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。四﹑试验中值得注意的现象输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。RCD吸收电路与RC电路的比较采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而 且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC 小。RCD吸收电路的影响1.RCD电容C偏大电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上 。2.RCD电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。3.RCD电阻电容乘积R×C偏小电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至mos管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路一样。4.RCD电阻电容乘积R×C合理，C偏小如果参数选择合理，mos管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大5.RCD电阻电容乘积R×C合理，R，C都合适在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。
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