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1，PN结的形成

高浓度向低浓度扩散引起，熵增是其动因。

PN结的形成

2，PN结的内电场是怎么形成的

N半导体 本身是中性， 但有多子--电子，P半导体也是中性，但是有多子--空穴，在pn接触面，N的电子和P的空穴复合， 那么N少了电子带正点，P少了空穴带负电，所以电场由N到P，，，，，，自己组织的语言，看不懂邮箱留言，问题不难，但我下定决心挣我的第一个分了，

PN结的内电场是怎么形成的

3，PN结是怎么形成的

p型半导体和n型半导体接触面形成pn结，p区中有大量空穴流向n区并留下负离子，n区中有大量电子流向p区并留下正离子（这部分叫做载流子的扩散），正负离子形成的电场叫做空间电荷区，正离子阻碍电子流走，负离子阻碍空穴流走（这部分叫做载流子的漂移），载流子的扩散与漂移达到动态平衡，所以pn结不加电压下呈电中性。

PN结是怎么形成的

4，组成二极管PN结的主要材料是什么

硅二极管PN结的主要材料是用硅材料做成的.锗二极管PN结的主要材料是用锗材料做成的.组成二极管的封装材料：引线是铜，焊接芯片是点焊的，焊接后芯片外涂白胶，外壳黑塑胶封装。
硅或锗
硅或者锗.但还有一些掺杂形的.
二极管的pn结内部对电流的阻力与电阻性质是不同的，是内部电场对载流子的作用不是像电阻那样是介质对电子的阻力；pn接正向导电的时候表现出来的电流方程为i=is（e*u/ut-1)，is为反向饱和电流，ut=kt/q其中的k是玻尔兹曼常数，t是热力学温度，q是电子的电量。这个不用细算，总之，正向导通时电流会很大，压降会很小，锗管压降一般为0.6～0.7v，所以外围电路中需要加限流电阻；再说反向时内部反向电场加强此时就相当于一个电容，所以基本没有电流流过，也就是所说的截止状态。这是单纯的pn结，当pn结用到晶体管中的时候，可以概括的称它导通时对电流的阻力为自身体电阻。不知道有没有你需要的东西！

5，什么是pn结 pnp npp

PN结是构成二极管的，而NPN或PNP是三极管，它是由两个PN结构成的。 这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍，但是其内部结构只有有个了解认识就行了，不用深入研究，没有实际的用途。还是主要学习PN结的作用。 PN结作用：正向特性：正向导性，即给PN结一个正向的电压它就导通，一般压降为0.3-0.7V。 反向特性：可以做稳压管使用。即在反向电流允许的范围内，可以起到稳压的作用，稳压二极管就是这个原理。 PNP或NPN的作用：也主要是三极管的应用啦。 一般三极管有三个工作状态： 放大状态：即起信号放大的作用，主要用在放大电路中。功放电路常用到的。 截止和饱和导通状态：这主要是起开关的作用的。在截止状态下可以理解为三极管的CE间是开路的，即断开的，而在饱和导通状态下可以理解为三极管的CE间是短路的。开关作用也是常见到的，如在振荡电路中，或开关电路的开关功率管都是工作在开关状态下的。 以上只是基本的知识，要想理解的深一点，还是要多学习一下电路的。

6，半导体是什么

◆半导体( semiconductor)，指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体的导电性是可以受控的，范围可从绝缘体至几个欧姆之间 。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。半导体在收音机、电视机、仪器仪表以及测温上都有着广泛的应用。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。●半导体五大特性∶掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。），热敏性，光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。），负电阻率温度特性，整流特性。●半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
当电流通过各种物体时，不同的物体对电流的通过有着不同的阻止能力，有的物体可使电流顺利通过，也有的物体不让其通过，或者在一定的阻力下让它通过。这种不同的物体通过电流的能力，叫做这种物体的导电性能。各种物体均有着不同的导电性能，凡是导电性能很好的物体叫做导体。如银、铜、铝、铅、锡、铁、水银、碳和电解液等都是良好导体。反之，导电能力很差的物体叫做绝缘体。还有，有的物体的导电能力比导体差，但比绝缘体强，这种导体叫做半导体。如常用的晶体管原材料硅、锗等。收音机 CPU都是半导体 半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。 半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。 把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。 半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。 半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。 把一块半导体的一边制成p型区，另一边制成n型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为pn结。图中上部分为p型半导体和n型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为pn结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为pn结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡

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