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1，霍尔迁移率的单位是什么

cm2/(V·S)

霍尔迁移率的单位是什么

2，霍尔系数是怎么计算的

霍尔系数Rh＝U*d/IB, U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件厚度，单位为μm，I为工作电流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T载流子浓度n＝1/|Rh|迁移率＝Kh*(L/l)*(I/U )L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。Kh为霍尔元件灵敏度，Kh＝U/IB, U为霍尔电压，I为工作电流，B为磁场强度

霍尔系数是怎么计算的

3，霍尔系数是什么

抛开公式，霍尔系数表征的是该霍尔材料的霍尔灵敏度。一般来讲霍尔系数与材料的载流子迁移率成正比。

霍尔系数是什么

4，霍尔效应的系数是多少

霍尔系数一般为4.62KGS/A，表示的为B/Is的大小。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：UH=RH*IC*B/d（1）式中，RH称为霍尔系数，它的单位是米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度,IC 为电流，B为磁场强度。简介通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。霍尔效应于1879年由埃德温·赫伯特·霍尔（Edwin Herbert Hall）发现。除导体外，半导体也能产生霍尔效应，而且半导体的霍尔效应要强于导体。

5，霍尔效应is是什么 im是什么

霍尔效应Is是磁流体的指标，Is=v*s*n单位为m^3/s，Im是磁场场强的指标，符号为B，单位为T(特斯拉)。（霍尔效应器如下图）　　Is,Im在霍尔效应中充当变量，由于霍尔效应计算公式：　　vh=E*b=rh*i*B（Im）/d　　rh=Is*h*d/i*b　　所以霍尔电压正比于Is,Im（单变量变化），改变Is,Im从而改变电压。

6，我想知道霍尔系数RhUhdIsB里面各个单位

Uh：霍尔电压，标准单位（知SI）是：伏特，符号：V；d：霍尔样品沿着磁场的尺寸，标准单位（SI）是：米，符号：m；Is：通过霍尔样品的电流，标准单位（SI）是：安培，符号：A；B：外磁场，标准单位（SI）是：特斯拉，符号：T。霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。扩展资料：霍尔效应在应用技术中度特别重要。例如汽车点火系统，设计者将霍尔传感器放在分电器内取代机械断电器，用作点火脉冲发回生器。这种霍尔式点火脉冲发生器随着转速变化的磁场在带电的半导体层内产生脉冲电压，控制电控单元（ECU）的初级电流。相对于机械断电器而答言，霍尔式点火脉冲发生器无磨损免维护，能够适应恶劣的工作环境，还能精确地控制点火正时，能够较大幅度提高发动机的性能，具有明显的优势。

7，霍尔系数的数量级是多少单位是厘米每库仑

用范德保伍法测得铜在20℃下的霍尔系数为-5.1×10~(-5)cm~3/col,电阻率为1.97×10~(-6)Ω·cm.实验方法简便,设备容易获得:与所见文献数据比较,数量级是一致的
霍尔系数的单位是cm^3/col，数量级是10^(-5)霍尔系数是在计算霍尔电势的时候，用到的一个参数。当材料一定时候，霍尔系数是个常量。如用范德保伍法测得铜在20℃下的霍尔系数为-5.1×10^(-5)cm^3/col。

8，我想知道霍尔系数RhUhdIsB里面各个单位

Uh：霍尔电压，标准单位（SI）是：伏特，符号：Vd：霍尔样品沿着磁场的尺寸，标准单位（SI）是：米，符号：mIs：通过霍尔样品的电流，标准单位（SI）是：安培，符号：AB：外磁场，标准单位（SI）是：特斯拉，符号：T。注意，物理运算与数学不同，除了数值运算，还有计量单位运算。当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。扩展资料：霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。若控制电流IC为常数，磁感应强度B与被测电流成反比，就可以做成霍尔电流传感器；另外，若仍固定IC为常数，B与被测电压成正比，又可制成霍尔电压传感器。当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差。在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集。此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移。参考资料来源：百度百科——霍尔系数

9，霍尔系数单位是什么

霍尔系数的单位是米的三次方每库仑。——立方米/库仑(m3/C)霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应。霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：UH=RH/d*IC*B （1）式中，RH称为霍尔系数，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度。设RH/d=K,则式（1）可写为：UH=K*IC*B (2)可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。在式（2）中，若控制电流IC,为常数，磁感应强度B与被测电流成正比，就可以做成霍尔电流传感器；另外，若仍固定IC为常数，B与被测电压成正比，又可制成霍尔电压传感器。
霍尔系数（又称霍尔常数）rh 在磁场不太强时，霍尔电势差uh与激励电流i和磁感应强度b的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即uh =rh*i*b/δ，式中的rh称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。 另rh=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。

10，一般来说霍尔元件灵敏度KH为多少

一、霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，单位为mV/(mA.G)，它通常可以表征霍尔常数。另外，如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值，具体还得看实验用具。二、霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。扩展资料：元件特性：1、霍尔系数（又称霍尔常数）RH在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。 另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。2、霍尔灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通常可以表征霍尔常数。3、霍尔额定激励电流当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。4、霍尔最大允许激励电流以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。5、霍尔输入电阻霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。6、霍尔输出电阻霍尔输出电极间的电阻值称为输出电阻。7、霍尔元件的电阻温度系数在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。8、霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点）在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。参考资料来源：搜狗百科-霍尔元件
你说的应该是线性霍尔的KH，市场上的产品一般是 一点几 毫伏/高斯 到 五 毫伏/高斯，如果你是大学物理里的霍尔实验那个值可能会到十以上，具体看实验用具
霍尔元件灵敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍尔元件的灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，单位为mV/(mA.G)，它通常可以表征霍尔常数。另外，如果是指大学物理里的霍尔实验那个灵敏度值，具体还得看实验用具。实际的霍尔元件，通常分为开关型或线性型两种，开关型一般不标称灵敏度，而线性型通常电流I由内部电路决定。因此，灵敏度的定义发生了变化。线性型霍尔元件中，从原理上看，由VH=KHIB变为VH=KHB，单位变为mV/G，此时灵敏度一般在1~5mV/G 左右。扩展资料：霍尔灵敏度的物理意义是表示在单位磁感应强度相单位控制电流时的霍尔电势大小，即在单位磁感应强度B和单位控制电流I时，产生霍尔电压的大小。在霍尔效应中，霍尔元件的灵敏度与霍尔元件的厚度和载流子的浓度两个因素有关。由霍尔元件灵敏度的计算公式可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。其中，K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。参考资料来源：搜狗百科-霍尔元件参考资料来源：搜狗百科-霍尔系数
从原理看：vh=khibkh称为灵敏度。单位为mv/(ma.g)实际的霍尔元件，通常分为开关型或线性型两种，开关型一般不标称灵敏度。线性型通常电流i由内部电路决定。因此，灵敏度的定义发生了变化。vh=khb。单位变为mv/g一般在1~5mv/g，假设供电电流为10ma，也可转变为：kh=0.1~0.5mv/(ma.g)

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