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1,什么是正向压降Uf

在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向最低电压 小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。

什么是正向压降Uf

2,什么是二极管的正向压降有什么作用

喂,楼上说话要小心啦,不是使二极管导通的电压,而是二极管导通时二极管两端的电压降。因为二极管导通时还是有电阻的,因此产生电压降。 这电压降会导致发热,多数情况下不是好事,但有时这个电压降可以被利用在稳压电路上。

什么是二极管的正向压降有什么作用

3,正向压降是指消耗还是电压降低

“正向压降”从字面理解就是从高电位到低电位的电位差。一般只说“压降”。
发射结的正向压降指的是基极电压和发射极之间的电压差(vb-ve),如果是npn的硅管,该电压为0.7v(锗管0.2v),对pnp硅管,该电压为-0.7v(锗管-0.2v)。

正向压降是指消耗还是电压降低

4,二极管的正向压降是指电阻还是电压

电压。相信许多工程师对二极管压降的认识,仍然停留在模电书上的那句话:硅二极管的正向压降为0.6-0.7V,这句话很害人,它应该加上条件:正向测量电流。更多的人则了解PN结的伏安特性,即PN结压降与正向电流关系呈对数关系,如果说1mA时为0.6V, 10mA时为0.7V, 那么100mA, 1000mA 将可能对应0.82V及0.95V左右。实际上,以上关系只在小电流下成立,当电流较大时则要考虑二极管电阻分量的压降了,我们目前知道,二极管除了具有PN结,还具有半导体材料的体电阻,封装绑定线的电阻及引脚的电阻,这些电阻分量在几百mA至几A的情况下,压降是很明显的,可以认为,在小电流时主要由伏安特性决定压降,而大电流时则主要由体电阻决定压降。
压降是电压的降低值。这里是指二极管正向导通时,二极管的正极电压大于负极电压的值,又叫正负极之间的电位差。通常锗二极管是0.3V,硅二极管是0.7V。
电压。压降的意思是电势降低,即压降。

5,什么叫二极管的正向压降

 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。   1. 正向特性。   在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。   2. 反向特性。   在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。

6,二极管的正向导通压降

在规定的正向电流下,二极管的正向电压降,是二极管能够导通的正向最低电压。  小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。  正向导通压降是在管子正向导通的时候,二极管两端的电压,也就是它引起的压降;死区电压是它的门坎电压,也就是说,在这个电压以下时,即使是正向的,它也不导通。
不是的,理想才是0的,能级差!
不是的,正向导通也是有一定电阻的。你说的当导线看是理想的情况,在实际中不存在。导线尚且有电阻,何况一个半导体呢。
二极管可以看成非线形电阻(比较准确的是指数模型)。用理想模型时才把导线两端的压降看成是0。而常用的是恒压降模型、折线模型、小信号模型是有压降的。就是说正向接通后,管子两端是有压降的,不过很小0.7V(锗管是0.3V)而已,用近似的理想模型可以认为是0
当然有,正向虽导通,却有一定的压降,硅管与锗管又不一样!0.3到0.7左右吧,这个你自己查,2极管如果接入电路,有压降,那2端肯定就有个电位差了,那就是你老师说的电压了

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