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1，二极管的伏安特性

正向导电性~单向导电性~
两端电压无穷大，通过的电流无穷小！

二极管的伏安特性

2，二极管伏安特性的物理原理是什么

二极管电流是电子和空穴的结合形成。在PN接合地区有一段很窄的没有电子或空穴的地区，如果加正向电压，这个地区就缩小，甚至电子和空穴开始结合形成电流。如果电压增高，结合速度快速增加。所以形成非线性伏安特性。

二极管伏安特性的物理原理是什么

3，二极管的伏安特性

不知你问的是什么二极管？知普通锗材料的二极管正常工作电流下，正向电压道降在0.2 ~ 0.3V左右； 硅材料整流二极管一般在0.5 ~ 0.8V间，肖特基二极管0.3 ~ 0.6V间。 小电流下压版降很小，会低于上述的低电压，工作电流越大权，压降越高，大电流下压降可能会超出上述的电压值。
曲线咯。。

二极管的伏安特性

4，整流二极管与稳压二极管的伏安特性有何区别

整流二极管是单向导通器件，而稳压二极管是有条件的双向导通器件，它俩的伏安特性曲线如下：从图上可以看出，特性曲线分为四个区，死区（截止、不导通）、正向导通区（电流随电压的升高而增大）、反向截止区（加反向电压，流过的电流非常小）、反向击穿区（反向电压加高到一定值，电流随电压的升高显著增大）。整流二极管与稳压二极管伏安特性的区别就在反向击穿区不一样，整流二极管反向击穿后就不能再恢复，而稳压二极管反向击穿后，一旦反向电压下降，就又恢复到原来的状态。

5，二极管的几种伏安特性适用于什么场合

二极管有正向伏安特性曲线和反向伏安特性曲线,正向特性曲线反映硅管或锗管等参数,反向特性曲线反映二极管的击穿电压等参数.
①理想二极管模型---正向导通时，压降为0；反向截止时，电流为0。该模型通常用于防止电源反接和开关电路中；②恒压降模型---当二极管工作电流较大时，其两端电压为常数（通常硅管取0.7V，锗管取0.2V）。该模型通常利用二极管做简单的稳压源或者限幅电路使用； ③交流小信号模型--若电路中除有直流电源外，还有交流小信号，则对电路进行交流分析时，二极管可等效为交流电阻 rd=26mV/IDQ (IDQ为静态电流）。该模型常用于检波电路。

6，二极管伏安特性

二极管伏安特性中的正向开启电压一般硅管是0.7V.如果二极管两端的电压达到这个值电流迅速增加。加在二极管两端的电压不是无限的，当超过到它的耐压时就会击穿损坏。当二极管两端接上反向电压时，由于二极管的单向导电性通过二极管的反向电流是很小的，随着反向电压的增加当超过它的耐压时就会反向击穿，使二极管损坏。这个电压叫反向击穿电压。
我从哲学角度告诉你： 世界本身就是非线性的．
加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线如图所示，称为二极管的伏安特性曲线。 当二极管两端加正向电压较小时，正向电流几乎为零。在常温下，锗管约为0．1v，硅管约为0．5v。这一段称为死区，二极管不导通。 当外加正向电压超过死区电压后，电流增加很快。此时，二极管处于导通状态。 当二极管加反向电压时，随着反向电压增大，反向电流基本不变，当外加电压增加到一定数值后，反向电流剧增，称为二极管的反向击穿。相对应的电压称为反向击穿电压。二极管的反向击穿电压一般在几十伏以上，特殊情况高达几千伏。
二极管是由半导制成的，带空穴的P(Positive)型半导体和带自由电子的N(Negative)型半导体被制作在同一块硅片上，在它们的交界面上自由电子和空穴由于浓度差发生运动(称之为扩散运动)，相互结合失去电性，留下交界面附近的正负离子(这样一个区域称之为耗尽层)，形成内部电场和空间电荷区，这种电场又进一步造成了空穴和电子的运动(称之为漂移运动)，最终扩散运动和漂移运动达到动态平衡，空间电荷区不再扩大，内部电场保持稳定。二极管被加上一个与内部电场方向相反的电压(称之为正向导通电压)时，内电场就会被削弱，当外加电场大于内电场时，漂移运动就能源源不断地进行，形成电流，表现出导体的性质。参考《模拟电子技术基础》(童诗白 编)《电子技术基础：模拟部分》(康华光 编)

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