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1，二输入与非门电路的电路图和工作原理

A和B先与运算，然后非：Y=非（A*B);

二输入与非门电路的电路图和工作原理

2，二输入与非门电路的电路图和工作原理

A和B先与运算，然后非：Y=非（A*B);
这是hd74ls10p三输入与非门芯片的内部电路：

二输入与非门电路的电路图和工作原理

3，用与非门实现四位二进制码转化为四位循环码电路图

状态转换图：0101－0110－0111－1000－1001－1010－1011－1100－0101连接图：输入端D3D2D1D0接：0101，输出端Q3Q2经与非门后，输出接输入端LD，EP＝ET＝Rd＝1，

用与非门实现四位二进制码转化为四位循环码电路图

4，三输入的与非门电路图

这是HD74LS10P三输入与非门芯片的内部电路：
不好意思,以前没注意到,前面三个三极管的导通压降大约在3*0.4=1.2v左右,大于后面那个8050 be极的导通电压,所以在后面那个三极管前面应该串一个二极管如1N4148,不然输出会一直是低电平.

5，与非门电路图原理

原发布者:电子通信爱好TTL门电路的外部特性，逻辑功能、电气特性。CMOS门电路的外部特性，逻辑功能、电气特性。2.1概述门电路——用以实现各种基本逻辑关系的电子电路正逻辑——用1表示高电平、用0表示低电平负逻辑——用0表示高电平、用1表示低电子的情况。2.2分立元件门电路2.2.1二极管的开关特性图2.2.1二极管静态开关电路及其等效电路(a)电路图(b)输入高电平时的等效电路(c)输入低电平时的等效电路二、动态开关特性在高速开关电路中，需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。图2.2.2二极管动态开关特性(a)电路图(b)输入脉冲电压波形(c)实际电流波形当输入电压UI由正值UF跃变为负值UR的瞬间，VD并不能立刻截止，而是在外加反向电压UR作用下，产生了很大的反向电流IR，这时iD＝IR≈-UR／R，经一段时间trr后二极管VD才进人截止状态，如图3.2.3(c)所示。通常将trr称作反向恢复时间。产生trr的主要原因是由于二极管在正向导通时，P区的多数载流子空穴大量流入N区，N区的多数载流子电子大量流入P区，在P区和N区中分别存储了大量的电子和空穴，统称为存储电荷。当UI由UF跃变为负值UR时，上述存储电荷不会立刻消失，在反向电压的作用下形成了较大的反向电流IR，随着存储电荷的不断消散，反向电流也随之减少，最终二极管VD转为截止。当二极管VD由截止转为导通时，在P区和N
1）先温习三极管构成，在基极看去，基极与发射极，基极与集电极表现为两个二极管；2）当A、B都为高电平时，发射结为截止，而T1基极与集电极之间的二极管，和T2、T3的发射结（三个二极管）正向串联，通过R1接上电源就会导通，所以此时T1基极电压Vb1=2.1V。T2基极电压 Vb2=1.4V，T3基极电压 Vb3=0.7V，T3导通使输出端Y输出低电平；3）当A、B其中一个为低电平时，T1发射结导通，使基极电压 Vb1=0.7V，这个电压不足以让后级的发射结导通，所以T2、T3就截止，T4导通使Y输出高电平；从逻辑表现上，就实现了与非门功能。

6，ttl与非门工作原理与解析

　　TTL非门的电路组成及工作原理，反相器 　　2008-06-12 00:02:58 作者： 来源：互联网 　　浏览次数：0 文字大小：【大】【中】【小】 　　* 反相器 TTL非门的电路组成及工作原理: 典型TTL与非门电路电路组成 输入级——晶体管T1和电阻Rb1构成。 中间级——晶体管T2和电阻Rc2、Re2构成。 输出级——晶体管T3、T4、D和电阻Rc4构成， ... 　　反相器 　　TTL非门的电路组成及工作原理: 　　典型TTL与非门电路电路组成 　　输入级——晶体管T1和电阻Rb1构成。 　　中间级——晶体管T2和电阻Rc2、Re2构成。 　　输出级——晶体管T3、T4、D和电阻Rc4构成，推拉式结构，在正常工作时，T4和T3总是一个截止，另一个饱和。 　　工作原理: 　　当输入Vi=3.6V(高电平) 　　Vb1=3.6+0.7=4.3V 足以使T1(bc结)T2(be结)T3 (be结)同时导通, 一但导通Vb1=0.7+0.7+0.7=2.1V(固定值),此时V1发射结必截止(倒置放大状态)。 　　Vc2=Vces+Vbe2=0.2+0.7=0.9V 不足以T4和D同时导通, 　　T4和D均截止。 　　V0=0.2V (低电平) 　　* 　　o 当输入Vi=0.2V(低电平) 　　Vb1=0.2+0.7=0.9V不 足以使T1(bc结)T2(be结)T3 (be结)同时导通, 　　T2 T3均截止, 同时Vcc---Rc2----T4---D---负载形成通路, 　　T4和D均导通。 　　V0=Vcc-VRc2(可略)-Vbe4-VD=5-0.7-0.7 =3.6(高电平) 　　结论:输入高,输出低;输入低,输出高(非逻辑) 　　TTL反相器各自特点 　　?TTL优势： 　　?1、工作速度快 ?2、带负载能力强 ?3、传输特性好 　　TTL反相器的电压传输特性 　　电压传输特性是指输出电压跟随输入电压变化的关系曲线，即UO=f(uI)函数关系。如图2.3.2所示曲线大致分为四段： 　　AB段(截止区)：当UI≤0.6V时，T1工作在深饱和状态，Uces1＜0.1V，Vbe2＜0.7V，故T2、 T3截止，D、T4均导通， 输出高电平UOH=3.6V。 　　TTL反相器的电压传输特性 BC段(线性区)：当0.6V≤UI＜1.3V时，0.7V≤Vb2＜1.4V， T2开始导通，T3尚未导通。此时T2处于放大状态，其集电极电压Vc2随着UI的增加而下降，使输出电压UO也下降。CD段(转折区)：1.3V≤UI＜1.4V，当UI略大于1.3V时， T2 T3均导通， T3进入饱和状态，输出电压UO迅速下降。 　　DE段(饱和区)：当UI≥1.4V时，随着UI增加 T1进入倒置工作状态，D截止，T4截止，T2、T3饱和，因而输出低电平UOL=0.3V。 　　CMOS反相器 　　1、电路结构及工作原理 　　CMOS反相器电路如图2.7-1(a) (b)所示它由两个增强型MOS场效应管组成，其中V1为NMOS管，称驱动管，V2为PMOS管，称负载管。 NMOS管的栅源开启电压UTN为正值，PMOS管的栅源开启电压是负值，其数值范围在2~5V之间。为了使电路能正常工作，要求电源电压UDD＞ (UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之间工作，其适用范围较宽。 　　工作原理: 　　(1)当UI=UIL=0V时，UGS1=0，因此V1管截止，而此时|UGS2|＞|UTP|，所以V2导通，且导通内阻很低，所以UO=UOH≈UDD， 即输出为高电平. 　　(2)当UI=UIH=UDD时，UGS1=UDD＞UTN，V1导通，而UGS2=0＜|UTP|，因此V2截止。此时UO=UOL≈0，即输出为低电平。 可见，CMOS反相器实现了逻辑非的功能. 　　CMOS反相器的主要特性 　　CMOS反相器的电压传输特性如图2.7-2所示。 　　CMOS 反相器的电流传输特性2.7-3图 2.7-2 CMOS反相器的电压传输特性 　　在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。 在CD段V2截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流也几乎为0。只有在BC段，V1和V2均导通时才有电流iD流过V1和V2，并且在UI=1/2UDD附近，iD最大。

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