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1，漏极 源极 栅极相当于三极管的哪极

场效应管的漏极，相当于晶体三极管的集电极。源极相当于发射剂。栅极相当于基极。
栅极相当于三极管的基极，再看看别人怎么说的。

漏极 源极 栅极相当于三极管的哪极

2，源极 栅极 漏极是什么

场效晶体管:Field Effect Transistor 源极:Source 漏极:Drain 栅极:Gate
源极:Source 漏极:Drain 栅极:Gate
你说的是场效应管的三个级别吗

源极 栅极 漏极是什么

3，请问mos管栅极源极漏极的由来

gate相当于一个门（开关）VG大于VT管子导通，源就是电子来源的地方，漏就是电子消失（漏掉）的地方。
栅英文Grid 不是gate。栅：阻拦物的意思
其怪?!怎么命名是行业术语.难道真有必要究根问底吗?
gate应该翻译成门极 都叫乱了……源和漏是原理决定的 仔细看一看工作原理就明白了

请问mos管栅极源极漏极的由来

4，场效应管源极删极有方向吗哪个接正哪个接负

您好，让我来回答你的问题！ 场效应管，分别有三个极，栅极、漏极、源极。其工作原理是通过给栅极和源极一定的压差使得漏极和源极导通，是一种电压控制电流的器件。 场效应管分为P管和N管，就N管而言，你需要给栅极加一定的正电压（栅源耐压范围内的电压），给源极加一个小于栅极的电压，当栅源压差大于导通电压（Vth）后，场效应管就开始导通了，实际应用中，经常把源极接在GND上，方便管子的开启关断。 而P管导通的条件与N管相反，所以：栅极和源极是有方向的，哪个接正哪个接负要视管子的管型而定！

5，场效应管的栅极g源极s和漏极d分别是哪三个单词的缩写

栅极(Gate)漏极(Drain)源极(Source)再看看别人怎么说的。
栅极(Gate)；漏极(Drain)；源极(Source)。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
栅极(Gate)漏极(Drain)源极(Source)

6，场效应管源极和漏极的本质区别是什么

漏极相当于双极型晶体管的C极，源极相当于e极，栅极相当b极，但二者的控制原理不一样，场效应管为压控器件，晶体管为流控器件.当栅源电压大于开启电压时，漏源之间导通，电流由漏极流向源极.也就是说漏极是接正电压的，源极接地.
低频的结型管可以互换。这个跟结型管的结构有关，普通的结型管结构非常简单，从g脚看过去完全就是个标准的pn结，它的箭头只表示pn结的极性，在电路结构和电气符号上都没有标记出漏极和源极的差别。而高频结型管在半导体制造时，源极和漏极形状有本质差别，特别是两个fet级联时，漏源就有差别了。mosfet漏极和源极无论符号还是结构都有差别，不能互换。建议你去看一下科学出版社，晶体管电路设计（下），铃木雅臣的书，p15-16页有很明确的说明。一楼不要乱说，场效应管在很多特性、使用方法上跟三极管bjt还是有很大差别的。
结型场效应管本质上没有多大的区别，而绝缘栅极的场效应管是有区别的，耐压的原因，接反了，管子不耐压就会坏，还有的内部有保护二极管或电阻什么的。

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