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1，请问激光刻蚀的原理及应用谢谢

激光利用高能量，极短脉冲的激光，使物质瞬间被汽化，不伤及周围物质，并可精确的控制作用深度。因此，使刻蚀精确。

请问激光刻蚀的原理及应用谢谢

2，光刻和刻蚀有什么区别

这两个词是半导体工艺中的重要步骤，需要配合剖面图讲解，最好自己找本半导体工艺的书看。 “光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 建有流水线的商家有，海力士，华润等等。有兴趣可以网上的半导体技术交流论坛看看。

光刻和刻蚀有什么区别

3，买了Pcb板自己可以刻蚀吗具体方法是什么

如果只是作一套，腐蚀的方法太复杂（腐蚀用的三氯化铁）。用刀刻的方法简单，我常用这种方法。钢锯条用钳子掰成斜面，用水磨石磨锋利作刻刀，布线图用复写纸画到敷铜板上。打眼。注意必须先打眼（先刻后打眼的缺点是铜皮容易脱落），再用刀刻好，用细砂纸磨光，涂松香水，焊元件。
v型不可以，因为在蚀刻的过程中你需要将不需要蚀刻的铜保护起来，而保护的无非是干膜/湿膜/镀锡等的抗蚀刻剂，而蚀刻药水会使破坏纵向，即是所谓的侧蚀，所以不管铜厚多少怎样，都不能蚀刻出v型来~
你装的CAMCAD有没有许可证，就是license,如果有打开原文件，一般为CAD文件，直接点击Export，选择GERBER就行了

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4，什么叫反应离子束刻蚀

离子束刻蚀 离子束刻蚀以离子束为刻饰手段达到刻饰目的的技术，其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束最小直径约10nm，离子束刻蚀的结构最小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，最少的达到10nm，获得最小线宽12nm的加工结果。相比电子与固体相互作用，离子在固体中的散射效应较小，并能以较快的直写速度进行小于50nm的刻饰，故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，直接制造各种纳米器件结构。但是，在离子束加工过程中，损伤问题比较突出，且离子束加工精度还不容易控制，控制精度也不够高。
虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

5，想了解一下化学刻蚀技术在纺织面料上应用的相关知识有知道的能否

一般化学刻蚀技术在纺织方面主要是指利用其它的先进技术，在纤维表面、或者在纺织品染色、纺织面料的印花方面，起到轻便、效果良好等作用。现在，最常用的表面刻蚀技术是低温等离子体加工技术。 这种等离子体刻蚀技术的原理是利用仪器产生的等离子等轰击纺织材料的表面，使其表层结构发生改变，这种刻蚀作用属于溅射刻蚀，一般产生的效果较好，，且不会对纤维或织物的其他性能造成大的影响。例如利用等离子体对牦牛绒、兔绒进行表面刻蚀，使其手感、掉毛率得到改善。 除了等离子体法，还有紫外线照射法、超声波法等等。 如果想要具体了解，你可以下载一些这方面的文献。
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6，什么是反应离子刻蚀

这种刻蚀过程同时兼有物理和化学两种作用。辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行。硅片处于阴极电位，放电时的电位大部分降落在阴极附近。大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速，垂直入射到硅片表面上,以较大的动量进行物理刻蚀,同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应，产生化学刻蚀作用。选择合适的气体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，大大提高了刻蚀的各向异性特性。反应离子刻蚀是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法。
离子束刻蚀 离子束刻蚀以离子束为刻饰手段达到刻饰目的的技术，其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束最小直径约10nm，离子束刻蚀的结构最小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，最少的达到10nm，获得最小线宽12nm的加工结果。相比电子与固体相互作用，离子在固体中的散射效应较小，并能以较快的直写速度进行小于50nm的刻饰，故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，直接制造各种纳米器件结构。但是，在离子束加工过程中，损伤问题比较突出，且离子束加工精度还不容易控制，控制精度也不够高。
当然不古老，等离子体学科出现发展才不过百年，半导体集成电路出现才多少年，最早刻蚀半导体都是用化学方法，最近十几年才发明出等离子体刻蚀机，现在基本都是等离子体刻蚀了。

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