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1，nmos工艺流程拜求

由于Si:SiO2=0.44:1（体积比）这种做法可以降低台阶高度，称为准等平面工艺 6. 去掉有源区的Si3N4和SiO2 Si3N4：用磷酸腐蚀 SiO2：用标准的光刻腐蚀

nmos工艺流程拜求

2，CMOS和NCMOS是什么意思

CMOS是互补金属氧化物半导体的意思，一般是有NMOS和PMOS组成，所以叫互补。NMOS是在P衬底或P阱里做的晶体管，因为其源漏都是N型所以称为NMOS
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CMOS和NCMOS是什么意思

3，nmos感光元件 是什么 它用在了什么照相机上了

不是nmos而是Cmos这东西，相当于一个感光面，跟底片的意思是一样的。它是用在数码相机上的。数码相机的感光元件现有CMOS与CCD 相对来说，CMOS比CCD大一些，这就意味着，COMS拍出的照片更清晰，细腻。
CMOS是单反相机专用的图像传感器比CCD成像更好

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4，什么是MOSNMOSPMOSCOMS

MOS器件分为NMOS和PMOS,而CMOS是指互补的MOS管组成的电路，也就是PMOS,NMOS组成,NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动PMOS是指 n型 p沟道，靠空穴的流动CMOS相比Bipolar，优点就是其功耗低，集成度高等等。当然Bipolar的驱动能力比CMOS强目前BiCMOS工艺就是结合了CMOS和Bipolar的优点
nmos意思为n型金属一氧化物半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为nmos晶体管; pmos是指n型衬底，p沟道，靠空穴的流动运送电流的mos管；由mos管构成的集成电路称为mos集成电路，由nmos和pmos两种管子组成的互补mos电路即cmos电路。

5，什么是NMOS工艺

英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor；Metal-Oxide-SemIConductor的意思为金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为MOS晶体管。它有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路NMOS工艺就是制作NMOS器件的工艺，属常规半导体工艺。NMOS的结构如下：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。
由于si:sio2=0.44:1（体积比）这种做法可以降低台阶高度，称为准等平面工艺 6. 去掉有源区的si3n4和sio2 si3n4：用磷酸腐蚀 sio2：用标准的光刻腐蚀

6，CMOS和NMOS器件到底有什么区别双级型器件和MOS 数码相机

用于数码相机传感器的是CCD和CMOS。CCD（Charge Coupled Device 光电荷耦合器件）是一种半导体装置，能够把光学影像转化为数字信号。 CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。一块CCD上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。CCD的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。CCD在摄像机、数码相机和扫描仪中应用广泛。CMOS即互补性金属氧化物半导体，其在微处理器、闪存和ASIC（特定用途集成电路）的半导体技术上占有绝对重要的地位。CMOS和CCD一样都可用来感受光线变化的半导体。CMOS主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，通过CMOS上带负电和带正电的晶体管来实现基本的功能的。这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电。不像由二极管组成的CCD，CMOS 电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，这有助于改善人们心目中数码相机是"电老虎"的不良印象。CMOS主要问题是在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而过热。暗电流抑制得好就问题不大，如果抑制得不好就十分容易出现杂点。此外，在计算机领域，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能，而对CMOS中各项参数的设定要通过专门的程序。CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。
mos器件分为nmos和pmos,而cmos是指互补的mos管组成的电路，也就是pmos,nmos组成,nmos是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动 pmos是指 n型 p沟道，靠空穴的流动 cmos相比bipolar，优点就是其功耗低，集成度高等等。当然bipolar的驱动能力比cmos强 目前bicmos工艺就是结合了cmos和bipolar的优点

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