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1，简述光刻的工艺过程步骤

1. wafer 表面处理； 2. 旋涂光刻胶（包括抗反射层） 3. 前烘； 4. 曝光； 5. 后烘； 6. 显影，有的需要在显影前进行坚膜； 7. 刻蚀

简述光刻的工艺过程步骤

2，光刻技术的种类及介绍

你可以参看这些资料http://baike.baidu.com/view/359979.htm?fr=ala0_1http://baike.baidu.com/view/1117847.htm
我不会~~~但还是要微笑~~~：）

光刻技术的种类及介绍

3，光刻和刻蚀有什么区别

这两个词是半导体工艺中的重要步骤，需要配合剖面图讲解，最好自己找本半导体工艺的书看。 “光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 建有流水线的商家有，海力士，华润等等。有兴趣可以网上的半导体技术交流论坛看看。

光刻和刻蚀有什么区别

4，科技文献翻译

摘要本文介绍了倏逝成像技术在显微光刻法中新的应用。倏逝波光刻技术，主要通过193nm波长ArF激元激光器来记录折射率为1.71的光刻胶上的图像，以达到在1.85NA的26nm分辨率水平。除此之外，通过倏逝波辅助特征来借助底层-吸收层交界处的倏逝能量边界情况，能够很好地描述光掩模增强效应，并增强掩模的在耦合干扰情况下的传输率。介绍人们在亚波长范围内的光刻技术的发展，会受到经典光学衍射规律的限制。我们曾经报道过利用倏逝场在固体浸没透镜间隙的极短距离内传播来进行光刻。这些固体浸没透镜都有量化的接近193nm ArF 光刻胶折射率的孔。1其他小组还描述了在图像记录设备带来的折射率限制条件（这也是倏逝场的传播和探测上的不便所带来的总体要求）下利用不同的固体浸没透镜配置来进行光刻的成果。2-4 我们还通过直接将倏逝场成像在光刻胶层（其折射率大大低于成像系统的数值的孔），使光刻的成像投射技术超越了记录设备的折射率限制。在光掩模目标平板的表面边界倏逝场耦合，潜在能够对通过成像平面的倏逝场检测来完成，并能够使远距离场图像得到近距离场的增强。我们也会在此报道这两种现象和它们的相关应用。我是工科专业的，英语没问题，不过对介绍的这一块不怎么熟悉，LZ可以试试看看。

5，光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义

毛毛 你好傻希望对你有所帮助，望采纳。
毛毛 你好傻
光刻工艺主要步骤1. 基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，2. 涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。3. 前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。4. 对准和曝光(A＆E) 保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。所以，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。5. 显影显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。6. 后烘(坚膜)经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。 7. 刻蚀刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。8. 去除光刻胶刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必须从表面去掉。
显影是把没固化的料洗掉，它的图案是不是掩模板的图案和你用的正胶与负胶有光

6，光刻技术的原理是什么

集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。两种工艺：①光复印工艺②刻蚀工艺
光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。
芯片纳米光刻机究竟是什么，原理是怎样的呢？今天算长见识了
光刻技术的原理集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。　　光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，这其中包含有很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。
概述RDJ-I正型光刻胶是液晶显示器用正性光刻胶，可同时适用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等优点。RDJ-I正型光刻胶采用环保溶剂。RDJ-I正型光刻胶一般规格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用时可根据需要稀释成不同固含量和粘度。技术指标如下表：颜色 砖红色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(热板)曝光 60-100mj/cm2显影 0.8% KOHx60sec后烤 热板120℃×120sec蚀刻 HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剥离 4%NaOH@50℃×120sec贮存期限（25℃以下暗处贮存） 6个月操作工艺参数：1．涂布：23℃，辊涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(热板)，烤道100℃3—5分钟；3．曝光：90mj/cm2；4．显影：23℃，0.4% NaOH，1min，喷淋或浸渍；5．后烤：热板120℃×120sec，烤120℃,3-5分钟；6．蚀刻：45℃，FeCl3/HCl或HNO3/ HCl；7．剥离：23℃ 4-6% NaOH

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