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1,什么是TTL数字集成电路

普通三极管型数字集成电路简称ttl电路
http://wenku.baidu.com/view/54554a26a5e9856a5612606e.html

什么是TTL数字集成电路

2,TTL门电路是什么

TTL门电路是双极型集成电路,与分立元件相比,具有速度快、可靠性高和微型化等优点,目前分立元件电路已被集成电路替代。下面介绍集成 “与非”门电路的工作原理、特性和参数 希望我的回答能对你有所帮助。

TTL门电路是什么

3,TTL是指的什么电路有何作用

TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写(Transister-Transister-Logic ),是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点。 从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。 参考网页中有相关TTL的详细知识,请参阅。因为有部分图片贴不了,所以只能发网址。

TTL是指的什么电路有何作用

4,什么是TTL电路

集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路,简称TTL电路。它是从二极管-晶体管逻辑电路(DTL)发展而来的。将DTL电路输入端的“与”门二极管组和电平位移二极管之一,改为多发射极晶体管,多发射极实现输入级“与”逻辑,输出级晶体管实现“非”逻辑,即成为TTL基本逻辑门电路的结构。已经不是三极管了。 参照 http://www.hudong.com/wiki/%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1-%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1%E9%80%BB%E8%BE%91%E7%94%B5%E8%B7%AF

5,详解TTL电路

TTL:晶体管-晶体管-逻辑电路,所以肯定都由有晶体管组成。 由于技术水平提高,很多已经有CMOS电路代替。 主要参数:电源电压,扇入、扇出数;带载能力,上升、下降时间、延迟时间,功耗等参数 由于单片机技术的迅速发展,价格降低,TTL IC只在一些简单逻辑电路伐籂崔饺诏祭措熄胆陇应用。 一本书的内容,不可能几句话能讲明白。
<p>集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路,简称ttl电路。它是从二极管-晶体管逻辑电路(dtl)发展而来的。将dtl电路输入端的“与”门二极管组和电平位移二极管之一,改为多发射极晶体管,多发射极实现输入级“与”逻辑,输出级晶体管实现“非”逻辑,即成为ttl基本逻辑门电路的结构。已经不是三极管了。</p> <p>参照</p> <p><a href="http://wenwen.soso.com/z/urlalertpage.e?sp=shttp%3a%2f%2fwww.hudong.com%2fwiki%2f%25e6%2599%25b6%25e4%25bd%2593%25e7%25ae%25a1-%25e6%2599%25b6%25e4%25bd%2593%25e7%25ae%25a1%25e9%2580%25bb%25e8%25be%2591%25e7%2594%25b5%25e8%25b7%25af" target="_blank">http://www.hudong.com/wiki/%e6%99%b6%e4%bd%93%e7%ae%a1-%e6%99%b6%e4%bd%93%e7%ae%a1%e9%80%bb%e8%be%91%e7%94%b5%e8%b7%af</a></p>

6,TTL电路是什么样的

集成电路按晶体管的性质分为ttl和cmos两大类,ttl以速度见长,cmos以功耗低而著称,其中cmos电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。cmos是complementarymetaloxidesemiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写。(pmos管和nmos管)共同构成的互补型mos集成电路制造工艺,它的特点是低功耗。由于cmos中一对mos组成的门电路在瞬间看,要么pmos导通,要么nmos导通,要么都截至,比线性的三极管(bjt)效率要高得多,因此功耗很低。ttl全称transistor-transistorlogic,即bjt-bjt逻辑门电路,是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路,应用较早,技术已比较成熟。ttl主要有bjt(bipolarjunctiontransistor即双极结型晶体管,晶体三极管)和电阻构成,具有速度快的特点。最早的ttl门电路是74系列,后来出现了74h系列,74l系列,74ls,74as,74als等系列。但是由于ttl功耗大等缺点,正逐渐被cmos电路取代。
ttl 就是逻辑电路 即用门阵列构成的电路 也就是 数字电路 这本书看完了 就知道什么是ttl了
TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管,所以称晶体管—晶体管逻辑门电路,简称TTL电路。TTL电路的基本环节是反相器。当输入高电平时, uI=3.6V,VT1处于倒置工作状态,集电结正偏,发射结反偏,uB1=0.7V×3=2.1V,VT2和VT4饱和,输出为低电平uO=0.3V。 当输入低电平时, uI=0.3V,VT1发射结导通,uB1=0.3V+0.7V=1V,VT2和VT4均截止,VT3和VD导通。输出高电平uO =VCC -UBE3-UD≈5V-0.7V-0.7V=3.6V采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力 VT3组成射极输出器,优点是既能提高开关速度,又能提高负载能力。 当输入高电平时,VT4饱和,uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V,VT3和VD截止,VT4的集电极电流可以全部用来驱动负载。 当输入低电平时,VT4截止,VT3导通(为射极输出器),其输出电阻很小,带负载能力很强。 可见,无论输入如何,VT3和VT4总是一管导通而另一管截止。 这种推拉式工作方式,带负载能力很强。
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写(Transister-Transister-Logic ),是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点。 从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。  第一代TTL包括SN54/74系列,(其中54系列工作温度为-55℃~+125℃,74系列工作温度为0℃~+75℃) ,低功耗系列简称lttl,高速系列简称HTTL。   第二代TTL包括肖特基箝位系列(STTL)和低功耗肖特基系列(LSTTL)。   第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL(ALSTTL)。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小,STTL和ASTTL速度很快,因此获得了广泛的应用。   各类TTL门电路的基本性能:   按此在新窗口浏览图片  电路类型TTL数字集成电路约有400多个品种,大致可以分为以下几类:   门电路   译码器/驱动器   触发器   计数器   移位寄存器   单稳、双稳电路和多谐振荡器   加法器、乘法器   奇偶校验器  码制转换器   线驱动器/线接收器   多路开关   存储器   特性曲线电压传输特性  TTL与非门电压传输特性 LSTTL与非门电压传输特性  瞬态特性 由于寄生电容和晶体管载流子的存储效应的存在,输入和输出波形如 右。存在四个时间常数td,tf,ts和tr。  延迟时间td   下降时间tf   存储时间ts   上升时间tr   基本单元“与非门”常用电路形式   四管单元 五管单元 六管单元   主要封装形式   双列直插  扁平封装   TTL反相器工作原理,请参照《数字电子技术基础》第四版 高等教育出版社,清华大学电子教研室 阎石主编的P53页电路图  1、当Vi=Ve1=0.2v 时T1导通,这时Vb1被钳制到0.2+0.7=0.9v,由于T1导通,故Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于Vb2<0.7v,所以T2截止,T3导通,T4截止,Vo输出为高电平。  2、当Vi=Ve1=3.6v 时T1也导通,这时Vb1被临时钳制到3.6v+0.7=4.3v,由于T1导通,故Vb2=Ve1=Vi=3.6v,由于Vb2>0.7v,所以T2导通,侧Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb4>0.7v,所以T4导通,由于T2的导通导致T3的基极Vb3被钳制到0V,所以T3截止;所以Vo输出为低电平。另外由于T4的导通,并且发射极接地,反过来有影响到T4的基极被钳制到Vb4=0v+0.7v=0.7v,同样T2导通所以T2的基极Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同样T1导通Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写(Transister-Transister-Logic ),是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点。 从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。  第一代TTL包括SN54/74系列,(其中54系列工作温度为-55℃~+125℃,74系列工作温度为0℃~+75℃) ,低功耗系列简称lttl,高速系列简称HTTL。   第二代TTL包括肖特基箝位系列(STTL)和低功耗肖特基系列(LSTTL)。   第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL(ALSTTL)。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小,STTL和ASTTL速度很快,因此获得了广泛的应用。   各类TTL门电路的基本性能:   按此在新窗口浏览图片  电路类型TTL数字集成电路约有400多个品种,大致可以分为以下几类:   门电路   译码器/驱动器   触发器   计数器   移位寄存器   单稳、双稳电路和多谐振荡器   加法器、乘法器   奇偶校验器  码制转换器   线驱动器/线接收器   多路开关   存储器   特性曲线电压传输特性  TTL与非门电压传输特性 LSTTL与非门电压传输特性  瞬态特性 由于寄生电容和晶体管载流子的存储效应的存在,输入和输出波形如 右。存在四个时间常数td,tf,ts和tr。  延迟时间td   下降时间tf   存储时间ts   上升时间tr   基本单元“与非门”常用电路形式   四管单元 五管单元 六管单元   主要封装形式   双列直插  扁平封装   TTL反相器工作原理,请参照《数字电子技术基础》第四版 高等教育出版社,清华大学电子教研室 阎石主编的P53页电路图  1、当Vi=Ve1=0.2v 时T1导通,这时Vb1被钳制到0.2+0.7=0.9v,由于T1导通,故Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于Vb2<0.7v,所以T2截止,T3导通,T4截止,Vo输出为高电平。  2、当Vi=Ve1=3.6v 时T1也导通,这时Vb1被临时钳制到3.6v+0.7=4.3v,由于T1导通,故Vb2=Ve1=Vi=3.6v,由于Vb2>0.7v,所以T2导通,侧Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb4>0.7v,所以T4导通,由于T2的导通导致T3的基极Vb3被钳制到0V,所以T3截止;所以Vo输出为低电平。另外由于T4的导通,并且发射极接地,反过来有影响到T4的基极被钳制到Vb4=0v+0.7v=0.7v,同样T2导通所以T2的基极Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同样T1导通Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。

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