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1，GMR英文全称是 巨磁电阻效应

GMR: Giant Magnetoresistance 或GMR: Giant Magnetoresistive
c

GMR英文全称是 巨磁电阻效应

2，GMR磁头的盘片密度可以达到每平方英寸多少GB

根据GMR原理，研制出信号变化灵敏度更高的读出磁头，将磁盘记录密度一下子提高了17倍。因为使用磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构，相同的磁场变化能引起更大的电阻值变化，对于磁盘上的磁性变化表现出更高的灵敏度。GMR磁头的磁盘密度可以达到每平方英寸10GB~40GB。
10GB/平方英寸 左右 是AMR的3倍

GMR磁头的盘片密度可以达到每平方英寸多少GB

3，巨磁电阻GMR效应是指某些材料的电阻值随外磁场减小而增大的

D 试题分析：由题意知：灯泡与巨磁电阻（GMR）并联，其两端电压保持不变，故通过灯泡的电流不变，即灯泡的亮度不变，选项A、B错误；电流表测量的是干路电流，滑片P向右滑动时，通过电磁铁的电流变小，磁性变弱，巨磁电阻（GMR）的电阻变大，通过其电流变小，故电流表的示数变小，所以选项D是正确的。
2.5×10-2 5×10-2 磁通量的变化率为 wb／s感应电流的大小为故答案为：2.5×10-2 5×10-2

巨磁电阻GMR效应是指某些材料的电阻值随外磁场减小而增大的

4，什么是巨磁电阻

巨磁电阻 即物体在外加磁场作用下自身的电阻发生显著变化的现象 1986年德国科学家Grunberg小组、1988年法国科学家Fert小组首先发现了巨磁电阻效应的存在。然而，巨磁电阻效应又与一般的磁电阻效应有着本质的区别：由铁磁金属/非磁性金属/铁磁金属构成的多层纳米薄膜(即巨磁电阻材料，如Fe/Cr)，在有外加磁场和无外加磁场下电阻率的变化，在室温下为可达5%，在低温(4 2K)下可以达到110%，远远大于一般铁磁金属1%—3%的磁电阻变化。由于其磁电阻效应如此明显，因此把这种只在磁性多层膜中才能发生的量子力学效应称为巨磁电阻效应。1994年，IBM首先将GMR应用在硬磁盘中，并在1995年宣布制成每平方英寸3Gb硬盘面密度所用的读出头，创世界记录。 GMR对计算机存储领域的应用带来莫大的影响

5，2014莆田科学家们已经发现了巨磁电阻GMR效应它是指某些

（1）闭合开关S1，由安培定则可知，螺线管左端的磁极为N极．（2）闭合开关S1、S2，电流表示数为I．保持GMR位置不变，将电源的正负极对调，GMR处的磁场强弱不变，GMR的阻值不变，电路电流不变，则此时电流表的示数将等于I；将GMR移至螺线管的上方的中间位置，GMR处的磁场减弱，GMR电阻阻值变大，由欧姆定律可知，电路电流减小，电流表的示数将小于I．（3）将GMR分别放入通电螺线管内部的不同位置，发现电流表的示数几乎不变，说明GMR电阻阻值几乎不变，螺线管内磁场不变，由此可以猜想：通电螺线管内部的磁场强弱处处相等．故答案为：（1）N；（2）等于；小于；（3）通电螺线管内部的磁场强弱处处相等．
a、b只调节电阻r，当p1向右端移动时，滑动变阻器接入电路的阻值增大，电源电动势不变，所以电路中的电流减小，电磁铁的磁性减弱；由于电磁铁磁性的减弱，导致了磁敏电阻gmr的阻值减小，则通过r1的电流增大，其电功率增大．电容器两端的电压增大，板间场强增大，微粒所受的电场力增大，所以带电微粒向上运动．故a正确，b错误．c、d只调节电阻r2，当p2向下端移动时，回路中电流不变，电阻r1消耗的电功率不变．电容器板间电压增大，板间场强增大，微粒所受的电场力增大，所以带电微粒向上运动．故c、d错误．故选a

6，什么是巨磁电阻效应GMR效应产生的条件机理及应用 问

所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。 巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。 巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头（Read Head）。这使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少，从而使得磁盘的存储能力得到大幅度的提高。第一个商业化生产的数据读取探头是由IBM公司于1997年投放市场的，到目前为止，巨磁阻技术已经成为全世界几乎所有电脑、数码相机、MP3播放器的标准技术。 来自剑桥大学的一位物理学家Tony Bland介绍说：“这些材料一开始看起来非常玄妙，但是最后发现它们有非常巨大的应用价值。它们为生产商业化的大容量信息存储器铺平了道路。同时它们也为进一步探索新物理——比如隧穿磁阻效应（TMR: Tunneling Magnetoresistance）、自旋电子学（Spintronics）以及新的传感器技术——奠定了基础。但是大家应该注意到的是：巨磁阻效应已经是一种非常成熟的旧技术了，目前人们感兴趣的问题是如何将隧穿磁阻效应开发为未来的新技术宠儿。http://baike.baidu.com/view/1193389.htm

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